TAILIEUCHUNG - Effect of 0.5 at.% indium addition on thermoelectric properties of gallium doped-zinc oxide bulk

Thermoelectrics (TE) is well-known as a non-smoke technology for electricity production from waste heat and for greenhouse effect reduction. Enhancing power factor (PF = S 2 , where S is Seebeck coefficient and is electrical conductivity) and figure of merit of TE materials to achieve high-performance TE devices has attracted much scientific attention. Doping foreign elements into host bulk structure is a basic and traditional solution to modify the thermoelectric properties of materials. In this work, we use small amount of at.% In as dopant which is incorporated into Ga-doped ZnO (GZO) bulk by using solid-state reaction method. The effects of In addition on electrical and thermoelectric characteristics of the GZO bulk are discussed in detail. | Effect of at.% indium addition on thermoelectric properties of gallium doped-zinc oxide bulk

TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.