TAILIEUCHUNG - báo cáo hóa học: " InN nanorods prepared with CrN nanoislands by plasma-assisted molecular beam epitaxy"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: InN nanorods prepared with CrN nanoislands by plasma-assisted molecular beam epitaxy | Liu et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 442 http content 6 1 442 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO IDEA Open Access InN nanorods prepared with CrN nanoislands by plasma-assisted molecular beam epitaxy 1 13 2 1 3 1 Kuang-Wei Liu Shoou-Jinn Chang Sheng-Joue Young Tao-Hung Hsueh Hung Hung Yu-Chun Mai Shih-Ming Wang3 Kuan-Jen Chen3 Ya-Ling Wu4 and Yue-Zhang Chen4 Abstract The authors report the influence of CrN nanoisland inserted on growth of baseball-bat InN nanorods by plasma-assisted molecular beam epitaxy under In-rich conditions. By inserting CrN nanoislands between AlN nucleation layer and the Si 111 substrate it was found that we could reduce strain form Si by inserting CrN nanoisland FWHM of the x-ray rocking curve measured from InN nanorods from 3 299 reduced to 2 115 arcsec. It is due to the larger strain from lattice miss-match of the film-like InN structure however the strain from lattice miss-match was obvious reduced owing to CrN nanoisland inserted. The TEM images confirmed the CrN structures and In droplets dissociation from InN by these results we can speculate the growth mechanism of baseball-bat-like InN nanorods. Introduction Recently indium nitride InN has attracted much attention due to its narrow band-gap energy . around eV existence of a surface accumulation layer low electron effective mass high carrier mobility and high saturation velocity. These properties make InN a potentially useful material for the fabrication of high-electron-mobility transistors high frequency devices and fullspectrum solar cells 1-3 . However the growth of high-quality InN films is difficult due to the lack of suitable substrates. It has been shown that hetero epitaxy of InN films on sapphire or Si often results in a high density of threading dislocation due to the mismatches in lattice constant and thermal expansion coefficient. This can be solved by growing one-dimensional 1D InN nanorods which are less .

• Báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học
• báo cáo hóa học
• công trình nghiên cứu về hóa học
• tài liệu về hóa học
• cách trình bày báo cáo
• trình bày báo cáo
• tài liệu báo cáo khoa học
• cách trình bày báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học sinh học
• báo cáo khoa học toán học
• luận văn mẫu
• người lính việt nam
• sau chiến tranh
• tuyển tập báo cáo khoa học
• báo cáo ngành triết học
• báo cáo ngành lịch sử
• báo cáo ngành văn học
• nghiên cứu khoa học
• báo cáo về văn học
• báo cáo triết học
• báo cáo văn học
• chuyên đề văn học
• văn học nghệ thuật
• văn học Việt NAm
• báo cáo ngành toán học
• báo cáo ngành vật lý
• báo cáo ngành chăn nuôi
• văn học Trung Hoa
• báo cáo khoa học kinh tế
• Kỷ yếu tóm tắt báo cáo khoa học
• Báo cáo khoa học y học
• Báo cáo y học
• Hội nghị khoa học tim mạch
• Báo cáo khoa học y khoa
• Tăng huyết áp
• báo cáo sinh học
• bảo tồn nguồn gen
• báo cáo ngành kỹ thuật
• Báo cáo quản lý chất thải sinh hoạt
• Báo cáo khoa học môi trường
• Báo cáo khoa học công nghệ
• Nghiên cứu khoa học về môi trường
• Đề tài nghiên cứu khoa học
• Báo cáo nghiên cứu khoa học