TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Influence of GaAs Substrate Orientation on InAs Quantum Dots: Surface Morphology, Critical Thickness, and Optical Properties"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Influence of GaAs Substrate Orientation on InAs Quantum Dots: Surface Morphology, Critical Thickness, and Optical Properties | Nanoscale Res Lett 2007 2 609-613 DOI S11671-007-9103-3 NANO EXPRESS Influence of GaAs Substrate Orientation on InAs Quantum Dots Surface Morphology Critical Thickness and Optical Properties B. L. Liang Zh. M. Wang K. A. Sablon Yu. I. Mazur G. J. Salamo Received 12 September 2007 Accepted 22 October 2007 Published online 6 November 2007 to the authors 2007 Abstract InAs GaAs heterostructures have been simultaneously grown by molecular beam epitaxy on GaAs 100 GaAs 100 with a 2 misorientation angle towards 01-1 and GaAs n11 B n 9 7 5 substrates. While the substrate misorientation angle increased from 0 to a clear evolution from quantum dots to quantum well was evident by the surface morphology the photoluminescence and the time-resolved photoluminescence respectively. This evolution revealed an increased critical thickness and a delayed formation of InAs quantum dots as the surface orientation departed from GaAs 100 which was explained by the thermal-equilibrium model due to the less efficient of strain relaxation on misoriented substrate surfaces. Keywords Molecular beam epitaxy InAs quantum dots Photoluminescence Vicinal surface Introduction Self-assembled InGaAs GaAs semiconductor quantum dots QDs attracted extensive research efforts due to their unique properties as artificial atoms 1-3 . Understanding and controlling the growth of InGaAs GaAs QDs were important both for fundamental studies and in view of their potential in optoelectronic device applications. In this arena it is well known that the GaAs substrate orientation has a large impact on the formation and properties of the B. L. Liang H Zh. M. Wang K. A. Sablon Yu. I. Mazur G. J. Salamo Physics Department University of Arkansas Fayetteville AR 72701 usA e-mail bliang@ self-assembled InGaAs QDs 4-8 . This is due to the different oriented substrate surfaces that are characterized by different chemical potentials thus affecting the kinetics of adsorption migration desorption .

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.