TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Influence of GaAs Substrate Orientation on InAs Quantum Dots: Surface Morphology, Critical Thickness, and Optical Properties"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Influence of GaAs Substrate Orientation on InAs Quantum Dots: Surface Morphology, Critical Thickness, and Optical Properties | Nanoscale Res Lett 2007 2 609-613 DOI S11671-007-9103-3 NANO EXPRESS Influence of GaAs Substrate Orientation on InAs Quantum Dots Surface Morphology Critical Thickness and Optical Properties B. L. Liang Zh. M. Wang K. A. Sablon Yu. I. Mazur G. J. Salamo Received 12 September 2007 Accepted 22 October 2007 Published online 6 November 2007 to the authors 2007 Abstract InAs GaAs heterostructures have been simultaneously grown by molecular beam epitaxy on GaAs 100 GaAs 100 with a 2 misorientation angle towards 01-1 and GaAs n11 B n 9 7 5 substrates. While the substrate misorientation angle increased from 0 to a clear evolution from quantum dots to quantum well was evident by the surface morphology the photoluminescence and the time-resolved photoluminescence respectively. This evolution revealed an increased critical thickness and a delayed formation of InAs quantum dots as the surface orientation departed from GaAs 100 which was explained by the thermal-equilibrium model due to the less efficient of strain relaxation on misoriented substrate surfaces. Keywords Molecular beam epitaxy InAs quantum dots Photoluminescence Vicinal surface Introduction Self-assembled InGaAs GaAs semiconductor quantum dots QDs attracted extensive research efforts due to their unique properties as artificial atoms 1-3 . Understanding and controlling the growth of InGaAs GaAs QDs were important both for fundamental studies and in view of their potential in optoelectronic device applications. In this arena it is well known that the GaAs substrate orientation has a large impact on the formation and properties of the B. L. Liang H Zh. M. Wang K. A. Sablon Yu. I. Mazur G. J. Salamo Physics Department University of Arkansas Fayetteville AR 72701 usA e-mail bliang@ self-assembled InGaAs QDs 4-8 . This is due to the different oriented substrate surfaces that are characterized by different chemical potentials thus affecting the kinetics of adsorption migration desorption .

• Báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học
• báo cáo hóa học
• công trình nghiên cứu về hóa học
• tài liệu về hóa học
• cách trình bày báo cáo
• trình bày báo cáo
• tài liệu báo cáo khoa học
• cách trình bày báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học sinh học
• báo cáo khoa học toán học
• luận văn mẫu
• người lính việt nam
• sau chiến tranh
• tuyển tập báo cáo khoa học
• báo cáo ngành triết học
• báo cáo ngành lịch sử
• báo cáo ngành văn học
• nghiên cứu khoa học
• báo cáo về văn học
• báo cáo triết học
• báo cáo văn học
• chuyên đề văn học
• văn học nghệ thuật
• văn học Việt NAm
• báo cáo ngành toán học
• báo cáo ngành vật lý
• báo cáo ngành chăn nuôi
• văn học Trung Hoa
• báo cáo khoa học kinh tế
• Kỷ yếu tóm tắt báo cáo khoa học
• Báo cáo khoa học y học
• Báo cáo y học
• Hội nghị khoa học tim mạch
• Báo cáo khoa học y khoa
• Tăng huyết áp
• báo cáo sinh học
• bảo tồn nguồn gen
• báo cáo ngành kỹ thuật
• Báo cáo quản lý chất thải sinh hoạt
• Báo cáo khoa học môi trường
• Báo cáo khoa học công nghệ
• Nghiên cứu khoa học về môi trường
• Đề tài nghiên cứu khoa học
• Báo cáo nghiên cứu khoa học