TAILIEUCHUNG - Kỹ thuật thông tin quang 1 Phần 8

Đường đi trung bình tự do giữa những lần va chạm sẽ nhỏ hơn khi nhiệt độ cao hơn. Những hạt mang điện không có cơ hội đạt được vận tốc cao cần thiết để tạo ra những hạt thứ cấp. | Chương 4 Bộ Thu Quang R_ ỉp _ Mĩ eẢ _ Mĩ e _ Pữ h - hf Giá trị điển hình của R 20 80 A W M của ADP phụ thuộc vào nhiệt độ thường M giảm khi nhiệt độ tăng. Đồng thời M cũng thay đổi khi áp phân cực ngược thay đổi. Hình Hệ số nhân M thay đổi theo nhiệt độ và ápphân cực ngược Nguyên nhân đường đi trung bình tự do giữa những lần va chạm sẽ nhỏ hơn khi nhiệt độ cao hơn. Những hạt mang điện không có cơ hội đạt được vận tốc cao cần thiết để tạo ra những hạt thứ cấp. ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT CỦA PHOTODIODE Độ Nhạy Độ nhạy đã được định nghĩa ở mục trên. Theo nguyên lý hoạt động của PIN và APD thì ADP nhạy hơn PIN. Độ nhạy của ADP lớn hơn PIN từ 5 đến 15 dB. Tuy nhiên nếu dùng PIN-FET thì độ nhạy của PIN-FET và ADP là xấp xỉ nhau. Bảng dưới đây trình bày độ nhạy của một số linh kiện ở các bước sóng hoạt động Loại photodiode Vật liệu 1 nm S dBm ADP Si 800 -r- 900 -55 Ge 1300 1550 -54 InGaAs 1300 1550 -57 PIN - FET Si 800 -r- 900 -50 InGaAs 1300 1550 -54 143 Chương 4 Bộ Thu Quang Hiệu Suất Lượng Tử Theo định nghĩa hiệu suất lượng tử thì đại lượng này thường có giá trị nhỏ hơn 1. Tuy nhiên trong APD có cơ chế thác lũ vì vậy hiệu suất lượng tử của APD được nhân lên M lần. PIN ADP n Mn Đáp Ứng Vì có cơ chế thác lũ trong APD nên đáp ứng R của APD rất cao và cao hơn đáp ứng của PIN hàng trăm lần. PIN ADP Ip _ neẢ _ ne v_Ip _ MneẢ _ Mne Po hC0 hf P0 hC hf Giá trị điển hình Giá trị điển hình R 0 5 4- 0 7 A W R 20 80 A W Dải Động Dải đông của ADP rộng hơn PIN. Cụ thể đoạn tuyến tính của ADP có mức công suất quang thay đổi từ vài phần nW đến vài pW tức dải động thay đổi với hệ số 1000 còn PIN có dải động với hệ số 100. Dòng Tối. Dòng tối là nhiễu do linh kiên kiện tách sóng quang tạo ra. Do APD có cơ chế nhân thác lũ nên dòng tối của APD cũng được nhân lên. Vì vậy dòng nhiễu của APD lớn hơn so với PIN rất nhiều. PIN ADP Id có đổi từ vài phần nA đếnvài trăm nA Si có dòng tối nhỏ nhất InGaAs lớn nhơn và Ge có Id max Id lớn hơn Độ Ổn Định. Vì hệ

• Kĩ thuật Viễn thông
• Tài liệu viễn thông
• Kiến thức viễn thông
• Truyền tin
• Thông tin quang
• Cáp quang
• Ngành viễn thông
• Lý thuyết thông tin
• Tài liệu điện tử
• Xác xuất thông tin
• Kinh tế viễn thông
• quản trị kinh doanh viễn thông
• Thống kê
• kết quả sản xuất
• mạng lưới viễn thông
• Truyền thông
• Thiết bị viễn thông
• Thiết bị đầu cuối
• Truyền tín hiệu
• tín hiệu số
• tín hiệu viễn thông