Đang chuẩn bị nút TẢI XUỐNG, xin hãy chờ
Tải xuống
Hiện nay, công nghệ silicon đang tính tới những giới hạn của vi mạch tích hợp và các nhà nghiên cứu đang nỗ lực tìm ra một loại vật liệu mới có thể thay thế công nghệ silicon này. | 17 Đặc trưng I-V r 11 Z D L Vc - V V -1V Z chiều sâu của kênh L chiều dài kênh Cj điện dung lớp cách điện trên đơn vị diện tích t độ linh động bề mặt của điện tử. 18 1.6 Ví dụ thiết kế BJT Phần nay se xem xet một thiết kế cho việc chế tạo một BJT vói một lóp ngầm như đã noi tói ổ phần trưóc. Tuần tự thiết kế vạ chế tạo chưa được đế cầp ợ đầy. Hình 1.6.1 lã sổ độ cua một n pn BJT. Cãc thộng sộ quan trong lã hế sộ khuếch đại dong base-collector p tần sộ cutoff la tần sộ ựng vói sự suy giam cua hế sộ khuếch đai ac vế đón vị tần sộ cắt alpha fa liến quan vói thói gian dịch chuyến cua hat tai thự yếu qua miến base TB tưóng ựng vói sự suy giam 3 dB cua độ lói so vói gia trị cua no ó tần sộ thầp fa 1 2kTb W va T - b T B nD n .
