Đang chuẩn bị nút TẢI XUỐNG, xin hãy chờ
Tải xuống
Bài viết tiến hành đề xuất phương pháp cải thiện hiệu suất bộ biến đổi IBFB dựa trên kỹ thuật chuyển mạch mềm, kết hợp với việc sử dụng công nghệ van bán dẫn SiC thay cho van Si thông thường. Thêm vào đó, công nghệ dây Litz được dùng để giảm tổn thất trên biến áp cách ly hoạt động ở tần số cao. Mô hình mô phỏng và hệ thống thực nghiệm công suất đến 2,5kW cho bộ biến đổi được thực hiện để kiểm chứng tính khả thi và hiệu quả của phương pháp đề xuất. | JST Engineering and Technology for Sustainable Development Vol. 1 Issue 2 April 2021 007-014 Thiết kế và thực nghiệm bộ biến đổi DC DC cách ly IBFB- LLC công suất 2 5kW sử dụng van SiC Mosfet Design and Implementation of 2 5 kW IBFB-LLC DC DC Converter Using SiC Mosfet Vũ Hoàng Phương Đỗ Tuấn Anh Nguyễn Mạnh Linh Nguyễn Quang Địch Trường Đại học Bách khoa Hà Nội Hà Nội Việt Nam Email linh.nguyenmanh@hust.edu.vn Tóm tắt Bộ biến đổi DC DC cách ly Interleaved boost Full bridge tích hợp mạng cộng hưởng LLC IBFB- LLC là bộ biến đổi dẫn năng lượng 1 chiều có khả năng làm việc với những ứng dụng có dải điện áp rộng như hệ thống biến đổi năng lượng mặt trời. Tổn thất chính của bộ biến đổi bao gồm tổn thất đóng cắt trên van và tổn thất trên biến áp xung. Bài báo đề xuất phương pháp cải thiện hiệu suất bộ biến đổi IBFB dựa trên kỹ thuật chuyển mạch mềm kết hợp với việc sử dụng công nghệ van bán dẫn SiC thay cho van Si thông thường. Thêm vào đó công nghệ dây Litz được dùng để giảm tổn thất trên biến áp cách ly hoạt động ở tần số cao. Mô hình mô phỏng và hệ thống thực nghiệm công suất đến 2 5kW cho bộ biến đổi được thực hiện để kiểm chứng tính khả thi và hiệu quả của phương pháp đề xuất. Từ khóa IBFB-mạng cộng hưởng LLC chuyển mạch mềm SiC Mosfet. Abstract Interleaved Boost Full Bridge integrated LLC resonant IBFB- LLC is an isolated DC DC converter with directional power flow which can cope with a wide input voltage range of PV applications. The main losses of the converter are switching losses of the power switches and transformers losses. This paper proposes a method to improve the efficiency of the IBFB converter due to zero voltage switching technique in combination with employing new SiC MOSFET technology instead of the conventional Si MOSFET. In addition Litz wire is also adopted to reduce the losses on the high frequency isolation transformer. Both numerical simulations and experiments with a prototype 2 5kW converter are implemented to verify the feasibility and .
