Đang chuẩn bị nút TẢI XUỐNG, xin hãy chờ
Tải xuống
Công suất hấp thụ sóng điện từ trong giếng lượng tử vuông góc sâu vô hạn khi có mặt của từ trường và trường laser được khảo sát bằng phương pháp toán tử chiếu cô lập. Sự phụ thuộc công suất hấp thụ vào năng lượng photon được tính số và vẽ đồ thị. | ẢNH HƯỞNG CỦA SỰ GIAM GIỮ PHONON LÊN CỘNG HƯỞNG TỪ-PHONON TRONG GIẾNG LƯỢNG TỬ TỬ VUÔNG GÓC SÂU VÔ HẠN NGUYỄN THỊ THANH HÀ 1 LÊ ĐÌNH 2 1 Học viên Cao học Trường Đại học Sư phạm Đại học Huế 2 Khoa Vật lý Trường Đại học Sư phạm Đại học Huế Tóm tắt Công suất hấp thụ sóng điện từ trong giếng lượng tử vuông góc sâu vô hạn khi có mặt của từ trường và trường laser được khảo sát bằng phương pháp toán tử chiếu cô lập. Sự phụ thuộc công suất hấp thụ vào năng lượng photon được tính số và vẽ đồ thị. Từ đồ thị mô tả sự phụ thuộc của công suất hấp thụ vào năng lượng photon chúng tôi khảo sát các đỉnh cộng hưởng từ-phonon từ đó sử dụng phương pháp Profile để thu được độ rộng vạch phổ của các đỉnh cộng hưởng này. Kết quả thu được cho thấy sự xuất hiện các đỉnh thỏa mãn các điều kiện cộng hưởng từ-phonon và độ rộng vạch phổ của đỉnh cộng hưởng tăng theo nhiệt độ và từ trường. Từ khóa Giếng lượng tử thế vuông góc sâu vô hạn công suất hấp thụ sóng điện từ cộng hưởng từ-phonon độ rộng vạch phổ. 1. MỞ ĐẦU Cộng hưởng từ-phonon sau đây gọi tắt là cộng hưởng MPR là sự tán xạ cộng hưởng electron gây ra bởi sự hấp thụ hay phát xạ phonon khi khoảng cách giữa hai mức Landau bằng năng lượng của phonon. Hiện tượng MPR có thể được quan sát trực tiếp khi có sự tham gia của photon lúc đó ta có cộng hưởng từ-phonon dò tìm bằng quang học ODMPR . Cộng hưởng MPR lần đầu được nghiên cứu lý thuyết bởi Gurevich và Firsor 1 sau đó Barnes và đồng nghiệp quan sát bằng thực nghiệm vào năm 1991 2 . MPR xảy ra ở nhiều vật liệu bán dẫn hợp kim như Si Insb GaAs CdTe cũng như trong các hệ thấp chiều 3 . Tiếp theo đó G.Q. Hai và F.M. Peeters 4 chứng minh về lý thuyết rằng các hiệu ứng MPR có thể được quan sát trực tiếp thông qua việc nghiên cứu dò tìm bằng quang học cộng hưởng từ-phonon ODMPR trong hệ bán dẫn khối GaAS. S.Y. Choi S.C. Lee và đồng nghiệp đã khảo sát chi tiết các hiệu ứng ODMPR trong bán dẫn khối và siêu mạng bán dẫn 5 6 . Trong nghiên cứu ảnh hưởng của sự giảm kích thước lên chuyển động của phonon
