Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Bài giảng Điện tử căn bản - Bài 6: Transistor hiệu ứng trường

Đang chuẩn bị nút TẢI XUỐNG, xin hãy chờ

Bài giảng Điện tử căn bản - Bài 6: Transistor hiệu ứng trường trình bày tổng quát về cấu tạo, ký hiệu JFET, nguyên lý hoạt động, đặc tính JFET, mạch khuếch đại JFET cực nguồn chung, mạch khuếch đại JFET cực thoát chung, mạch khuếch đại JFET cực cổng chung, phương pháp đo kiểm tra, MOSFET kênh liên tục - gián đoạn,. Mời các bạn cùng đón đọc. | Bài 6 TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG I. Tổng quát 1. Cấu tạo - ký hiệu JFET D Thoát D Thoát G Cổng G Cổng N G D s a b S Nguồn D G S Nguồn D G P N Cấu tạo và ký hiệu JFET 2.Nguyên lý hoạt động Vùng nghèo 1 Minh 1 Hĩnh 4 Hoạt động JFET kênh N Tầng khuếch đạiJFET kênh p Hoạt động JFET kênh P 3. Đặc tính JFET Đặc tính cong của JFET Thắt kênh VP Vùng đánh thủng ID Khi VDD và VDS tăng từ 0 trở lên thì ID sẽ tăng tỉ lệ thuận với VDD. A- B Vùng từ A-B được gọi là vùng điện trở. Tại điểm B thì đường đặc tuyến nằm ngang nên ID là một hằng .

TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.