Đang chuẩn bị nút TẢI XUỐNG, xin hãy chờ
Tải xuống
Chương 6: Linh kiện có vùng điện trở âm LINH KIỆN CÓ VÙNG ĐIỆN TRỞ ÂM Trong chương trước đã giới thiệu các linh kiện điện tử bán dẫn như diode, transistor mối nối lưỡng cực, transistor hiệu ứng trường, chương này cũng giới thiệu về linh kiện điện tử bán dẫn nhưng trong đặc tuyến của nó có vùng I tăng trong khi V giảm, đó chính là vùng điện trở âm. Hình 6.1. Cấu tạo (a), kí hiệu (b) của UJT. Transistor đơn nối gồm một nền là thanh bán dẫn loại N pha nồng độ rất thấp. Hai cực kim. | Chương 6 Linh kiện có vùng điện trở âm Chương 6 LINH KIỆN CÓ VÙNG ĐIỆN TRỞ ÂM Trong chương trước đã giới thiệu các linh kiện điện tử bán dẫn như diode transistor mối nối lưỡng cực transistor hiệu ứng trường chương này cũng giới thiệu về linh kiện điện tử bán dẫn nhưng trong đặc tuyến của nó có vùng I tăng trong khi V giảm đó chính là vùng điện trở âm. 6.1. UJT 6.1.1. Cấu tạo - kí hiệu B2 E 3 3 a B2 E B1 Nhôm B1 b Hình 6.1. Cấu tạo a kí hiệu b của UJT. Transistor đơn nối gồm một nền là thanh bán dẫn loại N pha nồng độ rất thấp. Hai cực kim loại nối vào hai đầu thanh bán dẫn loại N gọi là cực nền B1 và B2. Một dây nhôm nhỏ có đường kính nhỏ cỡ 0 1 mm được khuếch tán vào thanh N tạo thành một vùng chất P có mật độ rất cao hình thành mối nối P-N giữa dây nhôm và thanh bán dẫn dây nhôm nối chân ra gọi là cực phát E. UJT - Uni Junction Transistor là transistor đơn nối. B1 Base 1 cực nền 1. B2 Base 2 cực nền 2. E Emitter cực phát. Transistor đơn nối có thể vẽ mạch tương đương gồm 2 điện trở RB1 và RB2 nối từ cực B1 đến cực B2 gọi chung là điện trở liên nền RBB và một diode nối từ cực E vào thanh bán dẫn ở điểm B. Ta có Hình 6.2. Mạch tương đương với cấu tạo của UJT. RBB RB1 RB2 6-1 104 Chương 6 Linh kiện có vùng điện trở âm Điểm B thường ở gần cực B2 hơn nên RB1 RB2. Mỗi transistor đơn nối có tỉ số điện trở khác nhau gọi là p. R n n 0 5 0 8 Rbb 6.1.2. Đặc tuyến 6.2 Xét mạch như hình 6.3. Rbb có trị số từ vài kQ đến 10 kQ ta có Vb - R Au Rbb Vb h.Vcc 0 Vì R1 R2 Rcc Dòng IB IB rbbtRttr - RBB BB 1 2 BB 6.3 IB khoảng vài mA vì RBB lớn. 6.4 Hình 6.3. Mạch khảo sát đặc tuyến của UJT. Khi chỉnh nguồn VDC về 0 ta có VE 0 Ve Vb nên diode EB bị phân cực nghịch và có dòng điện rỉ đi từ B E dòng điện rỉ có trị số rất nhỏ. Khi chỉnh nguồn VDC tăng sao cho điện thế 0 Ve Vb thì dòng điện rỉ giảm dần và khi Ve Vb thì dòng IE 0. Tiếp tục tăng VDC sao cho Vb Ve Vb Vỵ thì diode EB được phân cực thuận nhưng dòng không đáng kể. Đến khi Ve Vp Vb Vỵ thì diode EB được phân cực thuận nên dẫn điện
