Đang chuẩn bị nút TẢI XUỐNG, xin hãy chờ
Tải xuống
Tham khảo tài liệu 'electronic principles - chapter 3', kỹ thuật - công nghệ, điện - điện tử phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | Chương 3 Lý thuyết diode Từ Vựng (1) anode bulk resistance = điện trở khối cathode diode ideal diode = diode lý tưởng knee voltage = điện áp gối linear device = dụng cụ tuyến tính load line = đường tải Từ Vựng (2) maximum forward current = dòng thuận cực đại nonlinear device = dụng cụ phi tuyến Ohmic resistance = điện trở Ohm power rating = định mức công suất up-down analysis = phân tích tăng-giảm Nội dung chương 3 3-1 Các ý tưởng cơ bản 3-2 Diode lý tưởng 3-3 Xấp xỉ bậc 2 3-4 Xấp xỉ bậc 3 3-5 Trounleshooting 3-6 Phân tích mạch tăng-giảm 3-7 Đọc bảng dữ liệu 3-8 Cách tính điện trở khối 3-9 Điện trở DC của diode 3-10 Đường tải 3-11 Diode dán bề mặt Properties of Diodes Kristin Ackerson, Virginia Tech EE Spring 2002 Figure 1.10 – The Diode Transconductance Curve2 VD = Bias Voltage ID = Current through Diode. ID is Negative for Reverse Bias and Positive for Forward Bias IS = Saturation Current VBR = Breakdown Voltage V = Barrier Potential Voltage VD ID (mA) (nA) VBR ~V IS Properties of | Chương 3 Lý thuyết diode Từ Vựng (1) anode bulk resistance = điện trở khối cathode diode ideal diode = diode lý tưởng knee voltage = điện áp gối linear device = dụng cụ tuyến tính load line = đường tải Từ Vựng (2) maximum forward current = dòng thuận cực đại nonlinear device = dụng cụ phi tuyến Ohmic resistance = điện trở Ohm power rating = định mức công suất up-down analysis = phân tích tăng-giảm Nội dung chương 3 3-1 Các ý tưởng cơ bản 3-2 Diode lý tưởng 3-3 Xấp xỉ bậc 2 3-4 Xấp xỉ bậc 3 3-5 Trounleshooting 3-6 Phân tích mạch tăng-giảm 3-7 Đọc bảng dữ liệu 3-8 Cách tính điện trở khối 3-9 Điện trở DC của diode 3-10 Đường tải 3-11 Diode dán bề mặt Properties of Diodes Kristin Ackerson, Virginia Tech EE Spring 2002 Figure 1.10 – The Diode Transconductance Curve2 VD = Bias Voltage ID = Current through Diode. ID is Negative for Reverse Bias and Positive for Forward Bias IS = Saturation Current VBR = Breakdown Voltage V = Barrier Potential Voltage VD ID (mA) (nA) VBR ~V IS Properties of Diodes The Shockley Equation Kristin Ackerson, Virginia Tech EE Spring 2002 The transconductance curve on the previous slide is characterized by the following equation: ID = IS(eVD/ VT – 1) As described in the last slide, ID is the current through the diode, IS is the saturation current and VD is the applied biasing voltage. VT is the thermal equivalent voltage and is approximately 26 mV at room temperature. The equation to find VT at various temperatures is: VT = kT q k = 1.38 x 10-23 J/K T = temperature in Kelvin q = 1.6 x 10-19 C is the emission coefficient for the diode. It is determined by the way the diode is constructed. It somewhat varies with diode current. For a silicon diode is around 2 for low currents and goes down to about 1 at higher currents Diode Circuit Models Kristin Ackerson, Virginia Tech EE Spring 2002 The Ideal Diode Model The diode is designed to allow current to flow in only one direction. The perfect diode would be a perfect conductor in one direction .
