Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Chương 4: Ghép nối hệ thống vi xử lý

Giới thiệu về bộ nhớ và Ghép nối vi xử lý với bộ nhớ. Các thuật ngữ về bộ nhớ: Dung lượng (Kbit, Mbit, Gbit); Tổ chức bộ nhớ (Các đường địa chỉ; Các đường dữ liệu) | CHƯƠNG 4: GHÉP NỐI HỆ THỐNG VI XỬ LÝ Phạm Thế Duy ptduy@yahoo.com GHÉP NỐI HỆ THỐNG VI XỬ LÝ Giới thiệu về bộ nhớ. Ghép nối vi xử lý với bộ nhớ Các thuật ngữ về bộ nhớ Dung lượng Kbit, Mbit, Gbit Tổ chức bộ nhớ Các đường địa chỉ - Address lines Các đường dữ liệu - Data lines Tốc độ/ Định thời: Speed / Timing Thời gian truy cập - Access time Khả năng ghi dữ liệu - Write ability ROM RAM Các loại bộ nhớ ROM Mask Rom PROM – OTP EPROM – UV_EPROM EEPROM Flash memory Các loại bộ nhớ RAM SRAM DRAM NV-RAM SRAM – CMOS Internal lithium battery Control circuitry to monitor Vcc Memory Chip 8K SRAM to be specific: 8Kx8 bits SRAM Sơ đồ khối 6264 Bảng mô tả hoạt động của 6264 Memory Chip 8K EPROM to be specific: 8Kx8 bits EPROM Sơ đồ khối 2764 Chip enable Output enable Các chế độ hoạt động Lập trình cho 2764 Sau khi xoá bằng đèn tia cực tím UV-EPROM): Tất cả các bit trong M2764A có mức 1. Chỉ có một cách duy . | CHƯƠNG 4: GHÉP NỐI HỆ THỐNG VI XỬ LÝ Phạm Thế Duy ptduy@yahoo.com GHÉP NỐI HỆ THỐNG VI XỬ LÝ Giới thiệu về bộ nhớ. Ghép nối vi xử lý với bộ nhớ Các thuật ngữ về bộ nhớ Dung lượng Kbit, Mbit, Gbit Tổ chức bộ nhớ Các đường địa chỉ - Address lines Các đường dữ liệu - Data lines Tốc độ/ Định thời: Speed / Timing Thời gian truy cập - Access time Khả năng ghi dữ liệu - Write ability ROM RAM Các loại bộ nhớ ROM Mask Rom PROM – OTP EPROM – UV_EPROM EEPROM Flash memory Các loại bộ nhớ RAM SRAM DRAM NV-RAM SRAM – CMOS Internal lithium battery Control circuitry to monitor Vcc Memory Chip 8K SRAM to be specific: 8Kx8 bits SRAM Sơ đồ khối 6264 Bảng mô tả hoạt động của 6264 Memory Chip 8K EPROM to be specific: 8Kx8 bits EPROM Sơ đồ khối 2764 Chip enable Output enable Các chế độ hoạt động Lập trình cho 2764 Sau khi xoá bằng đèn tia cực tím UV-EPROM): Tất cả các bit trong M2764A có mức 1. Chỉ có một cách duy nhất biến bit 0 thành 1 là bằng đèn tia cực tím (ultraviolet light erasure) Chế độ lập trình được chọn khi: VPP cấp 12.5V E và P có mức thấp TTL Cấp dữ liệu tới các chân dữ liệu, địa chỉ tới các chân địa chỉ và cấp xung lập trình. Kết nối 80286 với bộ nhớ 224 word or 16M Định vị một ô nhớ trong 16M bộ nhớ (224 word) Example: 734FD0 0111 0011 0100 1111 1101 0000 0000 0000 0000 0000 0000 000000 1111 1111 1111 1111 1111 FFFFFF AAAA 3210 AAAA 7654 AAAA 1198 1000 AAAA 1111 5432 AAAA 1111 9876 A23 to A0 (HEX) 0000 1111 AAAA 2222 3210 Giao tiếp một bộ nhớ 16M với 80286 Giao tiếp với bộ nhớ 8M với 80286 Chúng ta làm gì với A23? 0011 0010 0000 0000 0000 200023 0011 0010 0000 0000 0000 A00023 AAAA 3210 AAAA 7654 AAAA 1198 1000 AAAA 1111 5432 AAAA 1111 9876 A23 to A0 (HEX) 0010 1010 AAAA 2222 3210 A23 không được nối tới bộ nhớ vì thế nếu 80286 cung cấp logic “1”, bộ nhớ sẽ không biết trạng thái của tín hiệu này. Điều