Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Lecture ECE 6450 Microelectronic - Chapter 3: Diffusion

Bảo Uyên 60 22 pdf

Đang chuẩn bị nút TẢI XUỐNG, xin hãy chờ Tải xuống

Lecture ECE 6450 Microelectronic - Chapter 3: Diffusion. After studying this section will help you understand chemical source in a vapor at high temperature. Doped oxide source (either deposited at high temperature or as a “Spin on polymer). Diffusion/annealing from an Ion implanted source. |

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

Lecture ECE 6450 Microelectronic - Chapter 13&14: Thin film deposition and epitaxy (Chemical vapor deposition, metal organic CVD and molecular beam epitaxy)

Lecture ECE 6450 Microelectronic - Chapter 2: Semiconductor substrates

Lecture ECE 6450 Microelectronic - Chapter 3: Diffusion

Lecture ECE 6450 Microelectronic - Chapter 4: Oxidation (applies to Si and SiC only)

Lecture ECE 6450 Microelectronic - Chapter 5: Ion implantation

Lecture ECE 6450 Microelectronic - Chapter 6: Rapid thermal processing

Lecture ECE 6450 Microelectronic - Chapter 7: Lithography and pattern transfer

Lecture ECE 6450 Microelectronic - Chapter 8: Photoresists and non-optical lithography

Lecture ECE 6450 Microelectronic - Chapter 10: Vacuum technology and plasmas

Lecture ECE 6450 Microelectronic - Chapter 11: Etching techniques

Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock

Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.