Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Low operating voltage resistive random access memory based on graphene oxide–polyvinyl alcohol nanocomposite thin films

Lệ Quân 46 8 pdf

Đang chuẩn bị nút TẢI XUỐNG, xin hãy chờ Tải xuống

In this study, we have fabricated and investigated the resistive switching behavior of an RRAM device using the nanocomposite of polyvinyl alcohol (PVA) and graphene oxide (GO) as the switching layer in a hybrid Ag/PVAeGO/FTO structure. The resistive switching behavior of the hybrid Ag/PVAeGO/ FTO device depends on the GO amount in the PVAeGO matrix. |

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

Research and development of online-realtime supervising system for low voltage grids

Validation of a brief mental health screening tool for pregnant women in a low socio-economic setting

An investigation of super threshold FinFET logic circuits operating on medium strong inversion regions

Ecodial V3.38

Low operating voltage resistive random access memory based on graphene oxide–polyvinyl alcohol nanocomposite thin films

Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock

Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.