Đang chuẩn bị nút TẢI XUỐNG, xin hãy chờ
Tải xuống
Các nano tinh thể (NC) CdSe@CdS có cấu trúc lõi/vỏ được chế tao bằng phương pháp hóa ướt. Chúng tôi đã khảo sát sự phát triển của lớp vỏ CdS bao phủ trên lõi CdSe và sự ảnh hưởng của lớp hợp kim Cd(Se,S) ở bề mặt tiếp giáp giữa lõi CdSe và vỏ CdS đến các đặc trưng dao động bằng phương pháp tán xạ Raman. | Ảnh hưởng của lớp hợp kim Cd se S ở bề mặt tiếp giáp lõi vỏ đến tính chất dao động của nano tinh thể lõi vỏ CdSe@CdS .den color inherit .ttnd ol .ttnd ul .ttnd dl padding 0 0px 0 20px .ttnd hr margin 10px 0px .ttnd a href javascript void 0 .ttnd a href color inherit dtextscript p text-align left dtextscript img vertical-align middle 36 KHOA HOÏC KYÕ THUAÄT lt br gt TẠP CHÍ KHOA HỌC CÔNG NGHỆ VÀ MÔI TRƯỜNG lt br gt lt br gt lt br gt lt br gt lt br gt Ảnh hưởng của lớp hợp kim Cd se S ở bề mặt tiếp giáp lõi vỏ lt br gt đến tính chất dao động của nano tinh thể lõi vỏ CdSe@CdS lt br gt LÊ ANH THI1 LÂM THỊ BÍCH TRÂN2 lt br gt lt br gt lt br gt lt br gt lt br gt C lt br gt ác nano tinh thể NC CdSe@CdS có cấu các exciton và làm giảm PLQY 2 . Đây là lý do lt br gt trúc lõi vỏ được chế tao bằng phương cần thiết phải thụ động hóa bề mặt bằng cách lt br gt pháp hóa ướt. Chúng tôi đã khảo sát sự bọc một lớp vỏ ở bên ngoài NC lõi có độ rộng lt br gt phát triển của lớp vỏ CdS bao phủ trên lõi CdSe cùng cấm quang lớn hơn. Kết quả nghiên cứu lt br gt và sự ảnh hưởng của lớp hợp kim Cd Se S ở gần đây cho thấy NC lõi vỏ đã cải thiện đáng lt br gt bề mặt tiếp giáp giữa lõi CdSe và vỏ CdS đến kể hiệu suất lượng tử huỳnh quang PLQY và lt br gt các đặc trưng dao động bằng phương pháp độ ổn định quang của nó 3 . lt br gt tán xạ Raman. Khi độ dày lớp vỏ tăng lên quan lt br gt Đáng chú ý là trong cấu trúc lõi vỏ có lớp lt br gt sát thấy tỉ lệ cường độ giữa các mode phonon lt br gt vỏ dày có sự xuất hiện đồng thời hai đỉnh phát lt br gt quang dọc của CdSe LO1 và CdS LO2 có sự lt br gt xạ tuy nhiên sự lý giải hiện tượng này là khác lt br gt thay đổi. Đồng thời sự có mặt của lớp hợp kim lt br gt nhau. Klimov cho rằng do sự cùng tồn tại hai lt br gt Cd Se S ở bề mặt tiếp giáp lõi vỏ của NC góp lt br gt dạng cấu trúc trong lớp vỏ dày dạng dot in lt br gt phần làm cho các mode dao động của NC bị lt br gt bulk bằng thực nghiệm họ đã chế tạo các dạng lt br gt dịch về các tần số khác nhau và gây
