Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Nghiên cứu chế tạo màng mỏng CdS:Zn ứng dụng làm lớp đệm trong pin mặt trời màng mỏng CuInS2

Tính chất quang của màng thể hiện màng CdS:Zn có độ rộng vùng cấm quang tăng không đáng kể so với màng CdS không pha tạp. Tất cả các màng CdS:Zn có điện trở suất cùng bậc 103 Ω.cm và màng pha tạp Zn với nồng độ 6wt.% có điện trở suất nhỏ nhất 1,2.10-3Ω.cm. Pin mặt trời IZO/CdS:Zn/ CuInS2 /Me cũng được chế tạo để đánh giá khả năng đáp ứng quang điện của màng CdS:Zn. | 12,Tr. Số105-111 5, 2018 Tạp chí Khoa học - Trường ĐH Quy Nhơn, ISSN: 1859-0357, Tập 12, Số 5,Tập 2018, NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO MÀNG MỎNG CdS:Zn ỨNG DỤNG LÀM LỚP ĐỆM TRONG PIN MẶT TRỜI MÀNG MỎNG CuInS2 TRẦN THANH THÁI1*, MAI THÀNH LỢI2 1 Phòng Hành chính - Tổng hợp, Trường Đại học Quy Nhơn 2 Trường THPT Trần Cao Vân, TP. Quy Nhơn, Bình Định TÓM TẮT NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO MÀNG MỎNG CdS: Zn ỨNG DỤNG LÀM LỚP ĐỆM TRONG PIN MẶT TRỜI MÀNG MỎNG CuInS2 Màng mỏng CdS không pha tạp và CdS pha tạp Zn (CdS:Zn) được lắng đọng bằng phương pháp phun phủ nhiệt phân hỗ trợ siêu âm USPD. Ảnh hưởng của sự pha tạp Zn lên tính chất vật lý của các màng được nghiên cứu. Kết quả cho thấy các màng chế tạo đều có cấu trúc đa tinh thể, trùng khớp pha CdS với cấu trúc hecxagonal. Tính chất quang của màng thể hiện màng CdS:Zn có độ rộng vùng cấm quang tăng không đáng kể so với màng CdS không pha tạp. Tất cả các màng CdS:Zn có điện trở suất cùng bậc 103Ω.cm và màng pha tạp Zn với nồng độ 6wt.% có điện trở suất nhỏ nhất 1,2.10-3Ω.cm. Pin mặt trời IZO/CdS:Zn/ CuInS2 /Me cũng được chế tạo để đánh giá khả năng đáp ứng quang điện của màng CdS:Zn. Từ khóa: Màng mỏng CdS, lớp đệm, pin mặt trời, tính chất quang và tính chất điện. ABSTRACT Deposition and study of CdS:Zn thin film for application as a buffer layer in CuInS2 thin film solar cell Undoped and Zn doped CdS (CdS:Zn) thin films were prepared by the ultrasonic spray pyrolysis deposition (USPD) technique. The effect of Zn doping on the physical properties of the films were investigated. It was observed that all the deposited films were polycrystalline, fitting well with hexagonal type CdS. The optical properties of undoped and Zn doped CdS films showed that the optical band gap of the Zn doped CdS is slightly bigger than its undoped CdS. All Zn doped CdS films have resistivity in the order of 103Ω.cm and the CdS:Zn film prepared 6wt.% Zn concentration had a minimum resistivity of 1,2.10-3Ω. cm. The glass/ IZO/CdS: Zn/ CuInS2/ Me solar cell was also .