TAILIEUCHUNG - Giáo trình môn học công nghệ vi điện tử 3

Hiện nay, công nghệ silicon đang tính tới những giới hạn của vi mạch tích hợp và các nhà nghiên cứu đang nỗ lực tìm ra một loại vật liệu mới có thể thay thế công nghệ silicon này. | 17 Đặc trưng I-V r 11 Z D L Vc - V V -1V Z chiều sâu của kênh L chiều dài kênh Cj điện dung lớp cách điện trên đơn vị diện tích t độ linh động bề mặt của điện tử. 18 Ví dụ thiết kế BJT Phần nay se xem xet một thiết kế cho việc chế tạo một BJT vói một lóp ngầm như đã noi tói ổ phần trưóc. Tuần tự thiết kế vạ chế tạo chưa được đế cầp ợ đầy. Hình lã sổ độ cua một n pn BJT. Cãc thộng sộ quan trong lã hế sộ khuếch đại dong base-collector p tần sộ cutoff la tần sộ ựng vói sự suy giam cua hế sộ khuếch đai ac vế đón vị tần sộ cắt alpha fa liến quan vói thói gian dịch chuyến cua hat tai thự yếu qua miến base TB tưóng ựng vói sự suy giam 3 dB cua độ lói so vói gia trị cua no ó tần sộ thầp fa 1 2kTb W va T - b T B nD n .

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.