TAILIEUCHUNG - Investigating a quickly cooling process of 2D SiC by molecular dynamics simulation

Paper "Investigating a quickly cooling process of 2D SiC by molecular dynamics simulation" presents the study results of quickly cooling 2D silicon carbide by MD simulation with a sample of 8100 atoms. Silicon carbide 2D is cooled from 5000K to 300K with a velocity of 1013 K/s. Investigation of energy dependence on temperature shows a jump in the average total energy of molten 2D Silicon carbide at the temperature T = 3000K. |

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.