TAILIEUCHUNG - Sự ổn định cấu trúc và tính chất điện tử của dải nano silicon dicarbide ngũ giác biên răng cưa sai hỏng khuyết

"Sự ổn định cấu trúc và tính chất điện tử của dải nano silicon dicarbide ngũ giác biên răng cưa sai hỏng khuyết (DSS-p-SiC2NRs)" được nghiên cứu bằng cách tính năng lượng liên kết, phổ phonon, cấu trúc vùng điện tử và hàm sóng bloch bởi phương pháp nguyên lý ban đầu. Mời các bạn cùng tham khảo! | Sự ổn định cấu trúc và tính chất điện tử của dải nano silicon dicarbide ngũ giác biên răng cưa sai hỏng khuyết Nguyễn Thành Tiên1 Lê Nhật Thanh1 Ngô Vũ Hảo1 và Võ Văn Ớn2 1 Khoa Khoa học Tự nhiên - Trường Đại học Cần Thơ 2 Viện phát triển ứng dụng - Trường Đại học Thủ Dầu Một Corresponding at nttien@ TÓM TẮT Trong bài báo này sự ổn định cấu trúc tính chất điện tử của các dãy nano silicon dicarbide p- SiC2 dạng ngũ giác biên răng cưa sai hỏng khuyết DSS-p-SiC2NRs được nghiên cứu bằng cách tính năng lượng liên kết phổ phonon cấu trúc vùng điện tử và hàm sóng bloch bởi phương pháp nguyên lý ban đầu. Bốn kiểu khuyết được khảo sát trong nghiên cứu này là khuyết đơn nguyên tử C1 lai hóa sp3 C2 lai hóa sp2 khuyết đồng thời hai nguyên tử C2 và khuyết nguyên tử C1 và nguyên tử C2. Hai vị trí khuyết được nghiên cứu là khuyết biên và khuyết trong lõi cấu trúc. Kết quả nghiên cứu cho thấy DSS-p-SiC2NRs chỉ ổn định khi khuyết tồn tại bên trong. Cấu trúc vùng điện tử DSS-p-SiC2NRs có tồn tại các trạng thái khuyết trong vùng cấm thể hiện sự định xứ mạnh điện tử. Kết quả nghiên cứu này cung cấp thông tin quan trọng cho việc hiểu đầy đủ về cấu trúc thực để có thể phát triển ứng dụng DSS-p-SiC2NRs trong lĩnh vực quang điện tử. Từ khóa dải nano silicon dicarbide dạng ngũ giác nguyên lý ban đầu sai hỏng phổ phonon tính chất điện tử. Structural stability and electronic properties of pentagonal SiC2 nanoribbons with defected sawtooth edges Nguyễn Thành Tiên1 Lê Nhật Thanh1 Ngô Vũ Hảo1 và Võ Văn Ớn2 1 College of Natural Sciences Can Tho University 2 Institute of Applied Technology Thu Dau Mot University ABSTRACTS In this paper structural stability and electronic properties of the pentagonal silicon dicarbide nanoribbons p-SiC2 with sawtooth edge defected DSS-p-SiC2NRs are investigated through 30 the binding energies phonon spectrum band structure and Bloch wavefunction under the first- principles calculations. The four kinds of defects are studied including single C1 sp3 .

• Vật lý
• Kỷ yếu hội nghị khoa học
• Hội nghị khoa học Vật lý và Khoa học vật liệu
• Dải nano silicon dicarbide ngũ giác
• Tính chất điện tử
• Cấu trúc vùng điện tử
• Hàm sóng bloch
• Kỷ yếu Hội nghị khoa học công nghệ
• Hội nghị khoa học công nghệ
• Hội nghị khoa học
• Hội nghị khoa học môi trường
• Các tỉnh miền núi phía Bắc
• Khoa học công nghệ
• Toàn văn kỷ yếu hội nghị
• Tiểu ban Hóa học
• Kỷ yếu hội nghị khoa học lần IX
• Toàn văn báo cáo nói
• Nhóm nguyên tử
• Xúc tác quang hóa
• Kỷ yếu tóm tắt báo cáo khoa học
• Báo cáo khoa học y học
• Báo cáo y học
• Hội nghị khoa học tim mạch
• Báo cáo khoa học y khoa
• Tăng huyết áp
• Hội nghị khoa học Dược bệnh viện Hà Nội
• Biến cố bất lợi do thuốc
• Phát hiện biến cố bất lợi do thuốc
• Bệnh nhân phục hồi chức năng
• Lão và bệnh phổi
• Hội nghị khoa học lão và bệnh phổi
• Điều trị bệnh lao phổi
• Thực trạng kháng thuốc lao
• Nghiên cứu khoa học
• Kỷ yếu hội nghị sinh viên
• Hội nghị sinh viên nghiên cứu khoa học
• Nghiên cứu khoa học ngành giáo dục
• Giáo dục mầm non
• Giáo dục tiểu học
• Sinh viên nghiên cứu khoa học
• Hoạt động nghiên cứu khoa học của sinh viên
• Giáo dục đại học
• Phát triển du lịch địa phương
• Hội nghị khoa học miền núi phía Bắc
• Hội nghị Công nghệ miền núi phía Bắc
• Khoa học công nghệ tại Hòa Bình
• Khoa học công nghệ tại Sơn La
• Khoa học công nghệ tại Phú Thọ
• Khoa học công nghệ tại Thái Nguyên
• Kỷ yếu hội nghị
• Hoạt động nghiên cứu khoa học
• Triển khai công nghệ
• Trung tâm Vật liệu quang điện tử
• Trung tâm Sinh học thực nghiệm
• Trung tâm Triển khai công nghệ
• Báo cáo khoa học
• Kỷ yếu khoa học
• Hội nghị khoa học sinh viên
• Tiếng Hàn Quốc
• Kisaeng Hàn Quốc
• Phong trào làng mới
• Kinh tế của Hàn Quốc
• Kỷ yếu Hội nghị quốc tế
• Khoa học công nghệ Hàng Hải
• Khoa học công nghệ Hàng Hải 2016
• Bánh lái tàu thủy
• Tai nạn của tàu hàng khô
• Sỹ quan hàng hải
• Diễn ngôn lịch sử
• Giáo dục Chính trị
• Nâng cao chất lượng đào tạo
• Nghiên cứu ứng dụng công nghệ
• Trung tâm Công nghệ Laser
• Triển khai công nghệ điện tử y tế
• An toàn thực phẩm
• An ninh lương thực
• Sản xuất lúa gạo
• Chất lượng thịt của heo rừng lai
• Công nghệ sản xuất bột chuối
• Quy trình sản xuất chả cá Rô Phi
• An toàn dinh dưỡng
• Quá trình trích ly polyphenol
• Tách chiết phenolic kháng oxy hóa
• Bảo quản mực khô còn da
• Tinh bột cacboxymetyl tách từ hạt mít
• Nhân sự phi tài chính
• Ngân hàng thương mại
• Quản trị kinh doanh ngân hàng
• Tổ chức tín dụng
• Cách mạng công nghệ 4 0
• Hội thảo thể thao
• Khoa học thể thao
• Kỷ yếu hội thảo
• Thể dục thể thao
• Nghiên cứu thể thao
• Văn hóa thể thao
• Nghiên cứu chuyển giao tiến bộ kỹ thuật
• Đào tạo nhân lực khoa học công nghệ
• Khu nông nghiệp ứng dụng công nghệ cao
• Sản xuất chế phẩm vi sinh
• Kỷ yếu hội thảo khoa học quốc gia
• Quản lý nhà nước đối với giáo dục đại học
• Quản lý nhà nước
• Kinh nghiệm quản lý giáo dục đại học
• Cải cách hệ thống giáo dục đại học
• Thị trường chứng khoán Việt Nam
• Doanh nghiệp vừa và nhỏ
• Tổ chức tài chính vi mô
• Tính thanh khoản
• Vật liệu hai chiều
• Vật liệu hai chiều Janus HfSeO
• Tính chất quang học của HfSeO
• Lý thuyết phiếm hàm mật độ DFT
• Vật liệu ghép hematin
• Hhorseradish peroxidase HRP
• Vật liệu y sinh học
• Phản ứng điều chế vật liệu y sinh học
• Dải nano silicene 1D
• Năng lượng hấp phụ
• Tính toán DFT
• Hấp phụ hóa học
• Độ bền nhiệt động
• Hợp chất kim loại chuyển tiếp
• Hợp chất kim loại đất hiếm
• Phương pháp học máy
• Hội nghị Khoa học Bệnh viện An Giang
• Bài viết về y học
• Bệnh phổi mạn tính tắc nghẽn
• Thuốc ức chế bơm Proton
• Điều trị xuất huyết tiêu hóa
• Suy tĩnh mạch mạn tính chi dưới