TAILIEUCHUNG - Special characteristics of high power semiconductor laser of matrix structure packaged in Vietnam

The semiconductor diode laser chips AlGaAs of the matrix structure (linear bars arrays structure), having an output opticalpower of 2W were packaged at the semiconductor laser labrotary - Institute of Materials Science. We have studied some its properties such as: the temperature dependence of laser threshold, output optical power; the transfer heat of laser chip and pump current of laser. The study of spectral structure showed that the operating wavelength area of laser and structure of the longitudinal multimode depend on temperature and pump current. The above results allow to improve the packaging technology of the high power semiconductor laser chips, and then to open possibilities of its applications in Vietnam. | Special characteristics of high power semiconductor laser of matrix structure packaged in Vietnam

TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.