TAILIEUCHUNG - Lecture Electrical Engineering: Lecture 15 - Dr. Nasim Zafar

In this chapter, you will learn about: Transistor characteristics and parameters, the gain factors: DC Beta and DC alpha, relationship of DC Beta and DC alpha, early effect, maximum transistor ratings. | Dr. Nasim Zafar Electronics 1 EEE 231 – BS Electrical Engineering Fall Semester – 2012 COMSATS Institute of Information Technology Virtual campus Islamabad BJT-Transistor Characteristics and Parameters: Lecture No: 15 Contents: Transistor Characteristics and Parameters. The Gain Factors: DC Beta( ) and DC Alpha ( ). Relationship of and . Early Effect. Maximum Transistor Ratings. 2 Nasim Zafar References: Microelectronic Circuits: Adel S. Sedra and Kenneth C. Smith. Electronic Devices : Thomas L. Floyd ( Prentice Hall ). Integrated Electronics: Jacob Millman and Christos Halkias (McGraw-Hill). Electronic Devices and Circuit Theory: Robert Boylestad & Louis Nashelsky ( Prentice Hall ). Introductory Electronic Devices and Circuits: Robert T. Paynter. Reference: Chapter 4 – Bipolar Junction Transistors: Figures are redrawn (with some modifications) from Electronic Devices By Thomas L. Floyd 4 Nasim Zafar Bipolar Junction Transistors BJTs-Circuits B C E 5 Nasim Zafar Transistor Types: MOS - Metal Oxide Semiconductor FET - Field Effect Transistor BJT - Bipolar Junction Transistor ◄ 6 Nasim Zafar Transistor Characteristics and Hybrid Parameters 7 Nasim Zafar An Overview of Bipolar Transistors: While control in an FET is due to an electric field. Control in a bipolar transistor is generally considered to be due to an electric current. current into one terminal determines the current between two others as with an FET, a bipolar transistor can be used as a ‘control device’ 8 Nasim Zafar Transistor Characteristics: Transistor Geometry. Carrier motion (mobility). Collector “collection efficiency” (Alpha). Asymmetry: Efficiency / Breakdown voltages. NPN transistors are normally better than PNP since electron mobility is better than hole mobility. 9 Nasim Zafar Transistor Biasing Configurations and Operation Modes: 10 Nasim Zafar Transistor Biasing Configurations: Common-Base Configuration (CB) : input = VEB & IE ; output = VCB & IC 2. Common-Emitter Configuration

TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.