TAILIEUCHUNG - Giáo trình Linh kiện điện tử - Phần 2

Giáo trình Linh kiện điện tử - Phần 2 gồm nội dung từ chương V đến chương IX. Chương V: Transistor lưỡng cực, chương VI: Transistor trường ứng, chương VII: Linh kiện có bốn lớp bán dẫn PNPN và những linh kiện khác, chương VIII: Linh kiện quang điện tử, chương IX: Sơ lược về IC. | Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Chương V TRANSISTOR LƯỠNG cực BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR-BJT I. CẤU TẠO CƠ BẢN CỦA BJT Transistor lưỡng cực gồm có hai mối P-N nối tiếp nhau được phát minh năm 1947 bởi hai nhà bác học và được chế tạo trên cùng một mẫu bán dẫn Germanium hay Silicium. Hình sau đây mô tả cấu trúc của hai loại transistor lưỡng cực PNP và NPN. Cực phát 1 E n p n- Cực thu 1 C E Emitter Collecter B B Cực liền Base Transistor PNP Cực phát p n p- E 1 Emitter B Cực nền Base Cực thu C Collecter B Transistor NPN E C Hình 1 Ta nhận thấy rằng vùng phát E được pha đậm nồng độ chất ngoại lai nhiều vùng nền B được pha ít và vùng thu C lại được pha ít hơn nữa. Vùng nền có kích thước rất hẹp nhỏ nhất trong 3 vùng bán dẫn kế đến là vùng phát và vùng thu là vùng rộng nhất. Transistor NPN có đáp ứng tần số cao tốt hơn transistor PNP. Phần sau tập trung khảo sát trên transistor NPN nhưng đối với transistor PNP các đặc tính cũng tương tự. II. TRANSISTOR Ở TRẠNG THÁI CHƯA PHÂN CựC. Ta biết rằng khi pha chất cho donor vào thanh bán dẫn tinh khiết ta được chất bán dẫn loại N. Các điện tử tự do còn thừa của chất cho có mức năng lượng trung bình ở gần dải dẫn điện mức năng lượng Fermi được nâng lên . Tương tự nếu chất pha là chất nhận acceptor ta có chất bán dẫn loại P. Các lỗ trống của chất nhận có mức năng lượng trung bình nằm gần dải hoá trị hơn mức năng lượng Fermi giảm xuống . Trang 61 Biên soạn Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Khi nối P-N được xác lập một rào điện thế sẽ được tạo ra tại nối. Các điện tử tự do trong vùng N sẽ khuếch tán sang vùng P và ngược lại các lỗ trống trong vùng P khuếch tán sang vùng N. Kết quả là tại hai bên mối nối bên vùng N là các ion dương bên vùng P là các ion âm. Chúng đã tạo ra rào điện thế. Hiện tượng này cũng được thấy tại hai nối của transistor. Quan sát vùng hiếm ta thấy rằng kích thước của vùng hiếm là một hàm số theo nồng độ chất pha. Nó rộng ở vùng chất pha nhẹ và hẹp ở vùng chất pha đậm. Hình sau đây mô

TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.