TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Multidimensional characterization, Landau levels and Density of States in epitaxial graphene grown on SiC substrates"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Multidimensional characterization, Landau levels and Density of States in epitaxial graphene grown on SiC substrates | Camara et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 141 http content 6 1 141 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access Multidimensional characterization Landau levels and Density of States in epitaxial graphene grown on SiC substrates 1 1 1 2 1 1 Nicolas Camara Benoit Jouault Bilal Jabakhanji Alessandra Caboni Antoine Tiberj Christophe Consejo Philipe Godignon2 Jean Camassel 1 Abstract Using high-temperature annealing conditions with a graphite cap covering the C-face of both on axis and 8 off-axis 4H-SiC samples large and homogeneous single epitaxial graphene layers have been grown. Raman spectroscopy shows evidence of the almost free-standing character of these monolayer graphene sheets which was confirmed by magneto-transport measurements. On the best samples we find a moderate p-type doping a high-carrier mobility and resolve the half-integer quantum Hall effect typical of high-quality graphene samples. A rough estimation of the density of states is given from temperature measurements. Introduction It is now widely accepted that graphene-based devices are promising candidates to complement silicon in the future generations of high-frequency microelectronic devices. To this end the most favourable technique to produce graphene for industrial scale applications seems to be epitaxial graphene EG growth. This can be done by chemical vapour deposition on a metal 1 2 or by heating a SiC wafer up to the graphitisation temperature 3-6 . In the first case the disadvantage is the need to transfer the graphene film on an insulating wafer. In the second case the SiC wafer plays the role of the insulating substrate without any need for further manipulation. Of course to be suitable for the microelectronics industry these EG layers must be continuous and homogeneous at the full wafer scale or at least on surfaces large enough to process devices. On the Si-face of 6H or 4H SiC substrates graphitisation at high .

• Báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học
• báo cáo hóa học
• công trình nghiên cứu về hóa học
• tài liệu về hóa học
• cách trình bày báo cáo
• trình bày báo cáo
• tài liệu báo cáo khoa học
• cách trình bày báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học sinh học
• báo cáo khoa học toán học
• luận văn mẫu
• người lính việt nam
• sau chiến tranh
• tuyển tập báo cáo khoa học
• báo cáo ngành triết học
• báo cáo ngành lịch sử
• báo cáo ngành văn học
• nghiên cứu khoa học
• báo cáo về văn học
• báo cáo triết học
• báo cáo văn học
• chuyên đề văn học
• văn học nghệ thuật
• văn học Việt NAm
• báo cáo ngành toán học
• báo cáo ngành vật lý
• báo cáo ngành chăn nuôi
• văn học Trung Hoa
• báo cáo khoa học kinh tế
• Kỷ yếu tóm tắt báo cáo khoa học
• Báo cáo khoa học y học
• Báo cáo y học
• Hội nghị khoa học tim mạch
• Báo cáo khoa học y khoa
• Tăng huyết áp
• báo cáo sinh học
• bảo tồn nguồn gen
• báo cáo ngành kỹ thuật
• Báo cáo quản lý chất thải sinh hoạt
• Báo cáo khoa học môi trường
• Báo cáo khoa học công nghệ
• Nghiên cứu khoa học về môi trường
• Đề tài nghiên cứu khoa học
• Báo cáo nghiên cứu khoa học