TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " A delta-doped quantum well system with additional modulation doping"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: A delta-doped quantum well system with additional modulation doping | Luo et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 139 http content 6 1 139 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access A delta-doped quantum well system with additional modulation doping 2 3 3 2 3 3 Dong-Sheng Luo Li-Hung Lin Yi-Chun Su Yi-Ting Wang Zai Fong Peng Shun-Tsung Lo Kuang Yao Chen Yuan-Huei Chang3 Jau-Yang Wu4 Yiping Lin1 Sheng-Di Lin4 Jeng-Chung Chen1 Chun-Feng Huang5 Chi-Te Liang3 Abstract A delta-doped quantum well with additional modulation doping may have potential applications. Utilizing such a hybrid system it is possible to experimentally realize an extremely high two-dimensional electron gas 2DEG density without suffering inter-electronic-subband scattering. In this article the authors report on transport measurements on a delta-doped quantum well system with extra modulation doping. We have observed a 0-10 direct insulator-quantum Hall I-QH transition where the numbers 0 and 10 correspond to the insulator and Landau level filling factor V 10 QH state respectively. In situ titled-magnetic field measurements reveal that the observed direct I-QH transition depends on the magnetic component perpendicular to the quantum well and the electron system within this structure is 2D in nature. Furthermore transport measurements on the 2DEG of this study show that carrier density resistance and mobility are approximately temperature T -independent over a wide range of T. Such results could be an advantage for applications in T-insensitive devices. Introduction Advances in growth technology have made it possible to introduce dopants which are confined in a single atomic layer 1 . Such a technique termed delta-doping can be used to prepare structures which are of great potential applications. For example many novel structures based on delta-doped structures 2-10 can be experimentally realized using very simple fabrication techniques. It is found that delta-doped quantum wells may suffer from surface .

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.