TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Characterization of silicon heterojunctions for solar cells"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Characterization of silicon heterojunctions for solar cells | Kleider et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 152 http content 6 1 152 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access Characterization of silicon heterojunctions for solar cells 1 1 2 3 Jean-Paul Kleider Jose Alvarez Alexander Vitalievitch Ankudinov Alexander Sergeevitch Gudovskikh Ekaterina Vladimirovna Gushchina2 Martin Labrune4 5 Olga Alexandrovna Maslova1 3 Wilfried Favre1 Marie-Estelle Gueunier-Farret1 Pere Roca i Cabarrocas4 Eugene Ivanovitch Terukov2 Abstract Conductive-probe atomic force microscopy CP-AFM measurements reveal the existence of a conductive channel at the interface between p-type hydrogenated amorphous silicon a-Si H and n-type crystalline silicon c-Si as well as at the interface between n-type a-Si H and p-type c-Si. This is in good agreement with planar conductance measurements that show a large interface conductance. It is demonstrated that these features are related to the existence of a strong inversion layer of holes at the c-Si surface of p a-Si H n c-Si structures and to a strong inversion layer of electrons at the c-Si surface of n a-Si H p c-Si heterojunctions. These are intimately related to the band offsets which allows us to determine these parameters with good precision. Introduction In the field of silicon solar cells recent progress has been achieved in two directions silicon heterojunctions and silicon nanowires. These two topics are briefly addressed here and we show some new characterization results that use conductive-probe atomic force microscopy CP-AFM measurements. Silicon heterojunctions are formed between crystalline silicon c-Si and hydrogenated amorphous silicon a-Si H . Solar cell efficiencies of up to 23 have been demonstrated on high quality u-type c-Si wafers with layers of Ji-type a-Si H deposited at the front as the emitter and u-type a-Si H deposited at the back as the back surface field respectively 1 . Since transport properties are quite poor in a-Si

• Báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học
• báo cáo hóa học
• công trình nghiên cứu về hóa học
• tài liệu về hóa học
• cách trình bày báo cáo
• trình bày báo cáo
• tài liệu báo cáo khoa học
• cách trình bày báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học sinh học
• báo cáo khoa học toán học
• luận văn mẫu
• người lính việt nam
• sau chiến tranh
• tuyển tập báo cáo khoa học
• báo cáo ngành triết học
• báo cáo ngành lịch sử
• báo cáo ngành văn học
• nghiên cứu khoa học
• báo cáo về văn học
• báo cáo triết học
• báo cáo văn học
• chuyên đề văn học
• văn học nghệ thuật
• văn học Việt NAm
• báo cáo ngành toán học
• báo cáo ngành vật lý
• báo cáo ngành chăn nuôi
• văn học Trung Hoa
• báo cáo khoa học kinh tế
• Kỷ yếu tóm tắt báo cáo khoa học
• Báo cáo khoa học y học
• Báo cáo y học
• Hội nghị khoa học tim mạch
• Báo cáo khoa học y khoa
• Tăng huyết áp
• báo cáo sinh học
• bảo tồn nguồn gen
• báo cáo ngành kỹ thuật
• Báo cáo quản lý chất thải sinh hoạt
• Báo cáo khoa học môi trường
• Báo cáo khoa học công nghệ
• Nghiên cứu khoa học về môi trường
• Đề tài nghiên cứu khoa học
• Báo cáo nghiên cứu khoa học