TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Relationship between structural changes, hydrogen content and annealing in stacks of ultrathin Si/Ge amorphous layers"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Relationship between structural changes, hydrogen content and annealing in stacks of ultrathin Si/Ge amorphous layers | Frigeri et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 189 http content 6 1 189 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access Relationship between structural changes hydrogen content and annealing in stacks of ultrathin Si Ge amorphous layers 1 2 2 3 2 4 1 Cesare Frigeri Miklós Serényi Nguyen Quoc Khánh Attila Csik Ferenc Riesz Zoltán Erdélyi Lucia Nasi Dezso László Beke4 Hans-Gerd Boyen5 Abstract Hydrogenated multilayers MLs of a-Si a-Ge have been analysed to establish the reasons of H release during annealing that has been seen to bring about structural modifications even up to well-detectable surface degradation. Analyses carried out on single layers of a-Si and a-Ge show that H is released from its bond to the host lattice atom and that it escapes from the layer much more efficiently in a-Ge than in a-Si because of the smaller binding energy of the H-Ge bond and probably of a greater weakness of the Ge lattice. This should support the previous hypothesis that the structural degradation of a-Si a-Ge MLs primary starts with the formation of H bubbles in the Ge layers. Introduction Hydrogenated a-Si and a-Ge layers are key materials for employment in nano structures used . in the technology of multi-junction solar cells as a-Ge acts as the low-band gap absorber while a-Si acts as the high-band gap one thus allowing a better exploitation of the solar spectrum and the achievement of higher efficiencies 1 . However the a-SiGe alloy is now the material of choice as the low-band gap absorber 2-4 . It allows a higher degree of freedom as regards the choice of the band gap as the latter one can be tailored over some range by changing the Si Ge ratio 2 4 . The a-SiGe alloy can be realized from a sequence of thin a-Si and a-Ge layers by intermixing them 1 5 6 which is obtained by heat treatments. The latter treatments are often also used for activating dopants. Previous studies have shown that the hydrogen content and .

• Báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học
• báo cáo hóa học
• công trình nghiên cứu về hóa học
• tài liệu về hóa học
• cách trình bày báo cáo
• trình bày báo cáo
• tài liệu báo cáo khoa học
• cách trình bày báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học sinh học
• báo cáo khoa học toán học
• luận văn mẫu
• người lính việt nam
• sau chiến tranh
• tuyển tập báo cáo khoa học
• báo cáo ngành triết học
• báo cáo ngành lịch sử
• báo cáo ngành văn học
• nghiên cứu khoa học
• báo cáo về văn học
• báo cáo triết học
• báo cáo văn học
• chuyên đề văn học
• văn học nghệ thuật
• văn học Việt NAm
• báo cáo ngành toán học
• báo cáo ngành vật lý
• báo cáo ngành chăn nuôi
• văn học Trung Hoa
• báo cáo khoa học kinh tế
• Kỷ yếu tóm tắt báo cáo khoa học
• Báo cáo khoa học y học
• Báo cáo y học
• Hội nghị khoa học tim mạch
• Báo cáo khoa học y khoa
• Tăng huyết áp
• báo cáo sinh học
• bảo tồn nguồn gen
• báo cáo ngành kỹ thuật
• Báo cáo quản lý chất thải sinh hoạt
• Báo cáo khoa học môi trường
• Báo cáo khoa học công nghệ
• Nghiên cứu khoa học về môi trường
• Đề tài nghiên cứu khoa học
• Báo cáo nghiên cứu khoa học