TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Multiscale investigation of graphene layers on 6H-SiC(000-1)"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Multiscale investigation of graphene layers on 6H-SiC(000-1) | Tiberj et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 171 http content 6 1 171 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access Multiscale investigation of graphene layers on 6H-SiC 000-1 1 1 1 2 2 2 Antoine Tiberj Jean-Roch Huntzinger Jean Camassel Fanny Hiebel Ather Mahmood Pierre Mallet Cecile Naud 2 Jean-Yves Veuillen2 Abstract In this article a multiscale investigation of few graphene layers grown on 6H-SiC 000-1 under ultrahigh vacuum UHV conditions is presented. At 100-gm scale the authors show that the UHV growth yields few layer graphene FLG with an average thickness given by Auger spectroscopy between 1 and 2 graphene planes. At the same scale electron diffraction reveals a significant rotational disorder between the first graphene layer and the SiC surface although well-defined preferred orientations exist. This is confirmed at the nanometer scale by scanning tunneling microscopy STM . Finally STM at the nm scale and Raman spectroscopy at the gm scale show that the FLG stacking is turbostratic and that the domain size of the crystallites ranges from 10 to 100 nm. The most striking result is that the FLGs experience a strong compressive stress that is seldom observed for graphene grown on the C face of SiC substrates. Introduction The unique electronic optical and mechanical properties of graphene 1-3 give rise to an intense research activity for both scientific and technological purposes. Among these research activities special effort is devoted to develop preparation techniques 4-12 which yield large-scale graphene wafers of high quality and uniformity. Today one of the most promising methods for microelectronic applications consists in a controlled sublimation of a few Si atomic layers from a single crystalline SiC surface 9-20 . The remaining C atoms rearrange themselves and form few layer graphene FLG often called epitaxial graphene. Such FLG samples can be grown either on the Si face 0001 of a SiC .

• Báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học
• báo cáo hóa học
• công trình nghiên cứu về hóa học
• tài liệu về hóa học
• cách trình bày báo cáo
• trình bày báo cáo
• tài liệu báo cáo khoa học
• cách trình bày báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học sinh học
• báo cáo khoa học toán học
• luận văn mẫu
• người lính việt nam
• sau chiến tranh
• tuyển tập báo cáo khoa học
• báo cáo ngành triết học
• báo cáo ngành lịch sử
• báo cáo ngành văn học
• nghiên cứu khoa học
• báo cáo về văn học
• báo cáo triết học
• báo cáo văn học
• chuyên đề văn học
• văn học nghệ thuật
• văn học Việt NAm
• báo cáo ngành toán học
• báo cáo ngành vật lý
• báo cáo ngành chăn nuôi
• văn học Trung Hoa
• báo cáo khoa học kinh tế
• Kỷ yếu tóm tắt báo cáo khoa học
• Báo cáo khoa học y học
• Báo cáo y học
• Hội nghị khoa học tim mạch
• Báo cáo khoa học y khoa
• Tăng huyết áp
• báo cáo sinh học
• bảo tồn nguồn gen
• báo cáo ngành kỹ thuật
• Báo cáo quản lý chất thải sinh hoạt
• Báo cáo khoa học môi trường
• Báo cáo khoa học công nghệ
• Nghiên cứu khoa học về môi trường
• Đề tài nghiên cứu khoa học
• Báo cáo nghiên cứu khoa học