TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Origins of 1/f noise in nanostructure inclusion polymorphous silicon films"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Origins of 1/f noise in nanostructure inclusion polymorphous silicon films | Li et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 281 http content 6 1 281 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access Origins of 1 f noise in nanostructure inclusion polymorphous silicon films 1 1 2 3 2 1 Shibin Li Yadong Jiang Zhiming Wu Jiang Wu Zhihua Ying Zhiming Wang Wei Li and Gregory Salamo 1 2 Abstract In this article we report that the origins of 1 f noise in pm-Si H film resistors are inhomogeneity and defective structure. The results obtained are consistent with Hooge s formula where the noise parameter aH is independent of doping ratio. The 1 f noise power spectral density and noise parameter aH are proportional to the squared value of temperature coefficient of resistance TCR . The resistivity and TCR of pm-Si H film resistor were obtained through linear current-voltage measurement. The 1 f noise measured by a custom-built noise spectroscopy system shows that the power spectral density is a function of both doping ratio and temperature. Introduction Nanostructure semiconductor has been the focus of intense interest in recent years due to their extensive device application 1-6 . It is well known that hydrogenated polymorphous silicon is a nanostructure inclusion material 7-9 . Hydrogenated silicon films commonly exhibit high noise at low frequency f . This noise has a spectral power density of the type Sf 1 fa where a is known as 1 f noise. However lower noise materials are important for high-performance semiconductor devices. 1 f noise of amorphous and polycrystalline silicon has captured the attention of researchers in the field of electronics and physics for several decades 10 . Polymorphous silicon film is generally prepared by operating a strong hydrogen-diluted silane plasma source at high pressure and power density 11 . Many efforts have been made concerning the growth process microstructure transport and optoelectronic properties of pm-Si H films 12 . The results indicate that pm-Si H .

• Báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học
• báo cáo hóa học
• công trình nghiên cứu về hóa học
• tài liệu về hóa học
• cách trình bày báo cáo
• trình bày báo cáo
• tài liệu báo cáo khoa học
• cách trình bày báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học sinh học
• báo cáo khoa học toán học
• luận văn mẫu
• người lính việt nam
• sau chiến tranh
• tuyển tập báo cáo khoa học
• báo cáo ngành triết học
• báo cáo ngành lịch sử
• báo cáo ngành văn học
• nghiên cứu khoa học
• báo cáo về văn học
• báo cáo triết học
• báo cáo văn học
• chuyên đề văn học
• văn học nghệ thuật
• văn học Việt NAm
• báo cáo ngành toán học
• báo cáo ngành vật lý
• báo cáo ngành chăn nuôi
• văn học Trung Hoa
• báo cáo khoa học kinh tế
• Kỷ yếu tóm tắt báo cáo khoa học
• Báo cáo khoa học y học
• Báo cáo y học
• Hội nghị khoa học tim mạch
• Báo cáo khoa học y khoa
• Tăng huyết áp
• báo cáo sinh học
• bảo tồn nguồn gen
• báo cáo ngành kỹ thuật
• Báo cáo quản lý chất thải sinh hoạt
• Báo cáo khoa học môi trường
• Báo cáo khoa học công nghệ
• Nghiên cứu khoa học về môi trường
• Đề tài nghiên cứu khoa học
• Báo cáo nghiên cứu khoa học