TAILIEUCHUNG - Ưu nhược điểm của FET so với BJT

Một số ưu điểm: • Dòng điện qua transistor chỉ do một loại hạt dẫn đa số tạo nên. Do vậy FET là loại cấu kiện đơn cực (unipolar device). • FET có trở kháng vào rất cao. • Tiếng ồn trong FET ít hơn nhiều so với transistor lưỡng cực. • Nó không bù điện áp tại dòng ID = 0 và do đó nó là cái ngắt điện tốt. • Có độ ổn định về nhiệt cao. | Ưu nhược điểm của FET so với BJT • Một số ưu điểm: • Dòng điện qua transistor chỉ do một loại hạt dẫn đa số tạo nên. Do vậy FET là loại cấu kiện đơn cực (unipolar device). • FET có trở kháng vào rất cao. • Tiếng ồn trong FET ít hơn nhiều so với transistor lưỡng cực. • Nó không bù điện áp tại dòng ID = 0 và do đó nó là cái ngắt điện tốt. • Có độ ổn định về nhiệt cao. • Tần số làm việc cao. • Một số nhược điểm: Nhược điểm chính của FET là hệ số khuếch đại thấp hơn nhiều so với transistor lưỡng cực. Giống và khác nhau giữa FET so với BJT • Giống nhau: • Sử dụng làm bộ khuếch đại. • làm thiết bị đóng ngắt bán dẫn. • Thích ứng với những mạch trở kháng. • Một số sự khác nhau: • BJT phân cực bằng dòng, còn FET phân cực bằng điện áp. • BJT có hệ số khuếch đại cao, FET có trở kháng vào lớn. • FET ít nhạy cảm với nhiệt độ, nên thường được sử dụng trong các IC tích hợp. • Trạng thái ngắt của FET tốt hơn so với BJT Đặc điểm hoạt động JFET JFET kênh N có 3 chế độ hoạt động cơ bản khi VDS >0: A. VGS = 0, JFET hoạt động bảo hòa, ID=Max B. VGS 1 - Đối với transistor JFET kênh N thì hệ số khuếch đại điện áp khoảng từ 150 lần đến 300 lần, còn đối với transistor JFET kênh loại P thì hệ số khuếch đại chỉ bằng một nửa là khoảng từ 75 lần đến 150 lần. Sơ đồ mắc cực máng chung • Đặc điểm của sơ đồ này có: - Tín hiệu vào và tín hiệu ra đồng pha nhau. - Trở kháng vào rất lớn Zvào = RGD = ∞ - Trở kháng ra rất nhỏ - Hệ số khuếch đại điện áp μ < 1 - Sơ đồ cực máng chung được dùng rộng rãi hơn, cơ bản là do nó giảm được điện dung vào của mạch, đồng thời có trở kháng vào rất lớn. Sơ đồ này thường được dùng để phối hợp trở kháng giữa các mạch. Sơ đồ mắc cực cửa chung • Sơ đồ này theo nguyên tắc không được sử dụng do có trở kháng vào nhỏ, trở kháng ra lớn. •

• Điện - Điện tử
• FET
• BJT
• transistor
• điện áp
• mạch điện
• dòng điện
• colleges
• responsiveness
• curriculum
• Jeanne Gamble
• HSRC Press
• FET Colleges
• Bài giảng Linh kiện điện tử
• Linh kiện điện tử
• Transistor hiệu ứng trường
• Nguyên lý hoạt động của FET
• Phân cực cho FET
• Sơ đồ tương đương của FET
• mạch điện tử
• Liên kết liên tiếp
• liên kết của BJT và FET
• Mạch CMOS
• Mạch nguồn dòng
• Mạch khuếch đại visai
• Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ
• mạch sử dụng FET
• MOSFET kênh có sẵn
• cách phân cực
• Transistor FET
• tài liệu ngành điện tử
• chuyên ngành điện tử
• Transistor trường
• đề cương điện tử học
• kỹ thuật
• công nghệ
• kỹ thuật viễn thông
• Transistor hiệu ứng trường FET
• MOSFET
• Spin bóng bán dẫn
• Dòng thế của Spin Fet
• Tiêu hao dòng điện áp
• Đặc điểm điện áp dòng xả
• Thiết bị điện tử nano
• Bài giảng Nhập môn điện tử
• Nhập môn điện tử
• Phân cực FET
• Transitor trường FET
• Cấu trúc cơ bản Mosfet
• Phân cực bằng cầu chia thế
• Bài giảng Cơ sở kỹ thuật điện
• Kỹ thuật điện
• Phân cực cho Trasistor trường FET
• Trasistor trường FET
• Mạch phân cực hồi tiếp
• mạch phân cực
• khuếch đại tín hiệu nhỏ
• Phân cực JFET
• Mạch phân cực E MOSFET
• Mạch kết hợp BJT và FET
• kỹ thuật mạch điện tử
• điện tử số
• công nghệ điện tử
• điện tử ứng dụng
• tài liệu về Fet
• Điện
• Điện tử
• cơ khí
• chế tạo máy
• hóa học
• Bộ so sánh tương tự
• vi điều khiển
• đáp ứng tần số của BJT
• Mạch lọc thượng thông
• Mạch lọc hạ thông RC
• mạch khuếch đại dùng BJT
• Hiệu ứng Miller
• Lý thuyết mạch
• Dao động