TAILIEUCHUNG - bài giảng Kỹ thuật điện tử và tin học phần 4

Khi sử dụng FET trong các mạch điện tử, cần lưu ý tới một số đặc điểm chung nhất sau đây: - Việc điều khiển điện trở kênh dẫn bằng điện áp UGS trên thực tế gần như không làm tổn hao công suất của tín hiệu, điều này có được do cực điều khiển hầu như cách li về điện với kênh dẫn hay điện trở lối vào cực lớn (109 1013 W so với loại tranzito bipolal dòng điện dò đầu vào gần như bằng không,. | Khi sử dụng FET trong các mạch điện tử cần lưu ý tới một số đặc điểm chung nhất sau đây - Việc điều khiển điện trở kênh dẫn bằng điện áp UGS trên thực tế gần như không làm tổn hao công suất của tín hiệu điều này có được do cực điều khiển hầu như cách li về điện với kênh dẫn hay điện trở lối vào cực lớn 109 1013 so với loại tranzito bipolal dòng điện dò đầu vào gần như bằng không với công nghệ CMOS điều này gần đạt tới lí tưởng. Nhận xét này đặc biệt quan trọng với các mạch điện tử analog phải làm việc với những tín hiệu yếu và với mạch điện tử digital khi đòi hỏi cao về mật độ tích hợp các phần tử cùng với tính phản ứng nhanh và chi phí năng lượng đòi hỏi thấp của chúng. - Đa số các FET có cấu trúc đối xứng giữa 2 cực máng D và nguồn S . Do đó các tính chất của FET hầu như không thay đổi khi đổi lẫn vai trò hai cực này. - với JFET và MOSFET chế độ nghèo dòng cực máng đạt cực đại ID IDmax lúc điện áp đặt vào cực cửa bằng không UGS 0. Do vậy chúng được gọi chung là họ FET thường mở. Ngược lại với MOSFET chế độ giầu dòng ID 0 lúc UGS 0 nên nó mới được gọi là họ FET thường khoá. Nhận xét này có ý nghĩa khi xây dựng các sơ đồ khoá mạch lôgic số dựa trên công nghệ MOS. -Trong vùng gần gốc của họ đặc tuyến ra của FET khi UDS 1 5V dòng cực máng ID tỉ lệ với UGS. Lúc đó FET tương đương như một điện trở thuần có giá trị thay đổi được theo UGS. Dòng ID càng nhỏ khi khi UGS càng âm với loại kênh n hoặc ngược lại ID càng nhỏ khi UGS 0 càng nhỏ với loại kênh p. Hình mô tả họ đặc tuyến ra của FET trong vùng gần gốc. Hình Đặc tuyến ra vùng gần gốc 70 Hình Dạng đóng vỏ MOSFET trong thực tế Sử dụng tính chất này của FET có thể xây dựng các bộ phận áp có điều khiển đơn giản như hình . Khi đó hệ số chia áp là n Ura rDS. U dK x 2-98b Uvao R WUdK phụ thuộc vào điện áp điều khiển UdK thường chọn R rDS0 để dải n đủ rộng. Lưu ý là khi UDS 1V tính chất tuyến tính giữa ID và UDS với các UGS khác nhau không còn đúng nữa. Nếu sử dụng cảvùng xa gốc hơn 1V cần tuyến tính hoá

• Điện - Điện tử
• Kỹ thuật điện tử
• điện tử và tin học
• giáo trình điện tử tin học
• tài liệu điện tử
• mẹo hay về điện tử
• Ôn tập kỹ thuật điện tử
• Để cương kỹ thuật điện tử
• Bài giảng kỹ thuật điện tử
• Đề thi kỹ thuật điện tử
• Giáo rình kỹ thuật điện tử
• Bài giảng Kỹ thuật điện điện tử
• Kỹ thuật điện điện tử
• Tìm hiểu kỹ thuật điện tử
• Tài liệu kỹ thuật điện điện tử
• Dòng điện hình sin
• Đề thi học kỳ
• Kỹ thuật điện
• Đề thi Kỹ thuật điện Điện tử
• Bài tập Kỹ thuật điện Điện tử
• Kỹ thuật điện Điện tử
• Giáo trình kỹ thuật điện tử
• Đề cương kỹ thuật điện tử
• Tài liệu kỹ thuật điện tử
• Bài tập kỹ thuật điện tử
• Kỹ thuật mạch điện tử
• Bài giảng kỹ thuật mạch điện tử
• Đề cương kỹ thuật mạch điện tử
• Mạch khuếch đại
• Nguyên lý kỹ thuật điện tử
• Thực hành Kỹ thuật điện tử
• Hướng dẫn làm bài Kỹ thuật điện tử
• Môn Kỹ thuật điện tử
• Đề thi kỹ thuật mạch điện tử
• Ôn tập kỹ thuật mạch điện tử
• Kiểm tra kỹ thuật mạch điện tử
• Câu hỏi kỹ thuật mạch điện tử
• Ôn thi kỹ thuật mạch điện tử
• Đề thi Kỹ thuật điện
• Bài tập Kỹ thuật điện
• Tài liệu kỹ thuật điên tử
• Công nghệ điện tử
• Điện tử cơ bản
• Kỹ thuật điện tử cơ bản
• Kỹ thuật xung
• Ứng dụng kỹ thuật điện tử
• Ứng dụng kỹ thuật điện
• Kỹ thuật xung cơ điện