TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Effect of Eu-implantation and annealing on the GaN quantum dots excitonic recombination"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Effect of Eu-implantation and annealing on the GaN quantum dots excitonic recombination | Peres et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 378 http content 6 1 378 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access Effect of Eu-implantation and annealing on the GaN quantum dots excitonic recombination 1 3 3 1 24 Marco Peres Sérgio Magalhães Vincent Fellmann Bruno Daudin Armando José Neves Eduardo Alves Katharina Lorenz2 4 and Teresa Monteiro 1 Abstract Undoped self-assembled GaN quantum dots QD stacked in superlattices SL with AlN spacer layers were submitted to thermal annealing treatments. Changes in the balance between the quantum confinement strain state of the stacked heterostructures and quantum confined Stark effect lead to the observation of GaN QD excitonic recombination above and below the bulk GaN bandgap. In Eu-implanted SL structures the GaN QD recombination was found to be dependent on the implantation fluence. For samples implanted with high fluence a broad emission band at eV was tentatively assigned to the emission of large blurred GaN QD present in the damage region of the implanted SL. This emission band is absent in the SL structures implanted with lower fluence and hence lower defect level. In both cases high energy emission bands at approx. eV suggest the presence of smaller dots for which the photoluminescence intensity was seen to be constant with increasing temperatures. Despite the fact that different deexcitation processes occur in undoped and Eu-implanted SL structures the excitation population mechanisms were seen to be sample-independent. Two main absorption bands with maxima at approx. and to eV are responsible for the population of the optically active centres in the SL samples. Introduction Self-assembled GaN quantum dots QD stacked in superlattices SL with AlN spacer layers are known to be important nanostructures for optoelectronic applications in the UV visible and infrared spectral regions 1-3 . The GaN QD excitonic recombination is usually .

• Báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học
• báo cáo hóa học
• công trình nghiên cứu về hóa học
• tài liệu về hóa học
• cách trình bày báo cáo
• trình bày báo cáo
• tài liệu báo cáo khoa học
• cách trình bày báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học sinh học
• báo cáo khoa học toán học
• luận văn mẫu
• người lính việt nam
• sau chiến tranh
• tuyển tập báo cáo khoa học
• báo cáo ngành triết học
• báo cáo ngành lịch sử
• báo cáo ngành văn học
• nghiên cứu khoa học
• báo cáo về văn học
• báo cáo triết học
• báo cáo văn học
• chuyên đề văn học
• văn học nghệ thuật
• văn học Việt NAm
• báo cáo ngành toán học
• báo cáo ngành vật lý
• báo cáo ngành chăn nuôi
• văn học Trung Hoa
• báo cáo khoa học kinh tế
• Kỷ yếu tóm tắt báo cáo khoa học
• Báo cáo khoa học y học
• Báo cáo y học
• Hội nghị khoa học tim mạch
• Báo cáo khoa học y khoa
• Tăng huyết áp
• báo cáo sinh học
• bảo tồn nguồn gen
• báo cáo ngành kỹ thuật
• Báo cáo quản lý chất thải sinh hoạt
• Báo cáo khoa học môi trường
• Báo cáo khoa học công nghệ
• Nghiên cứu khoa học về môi trường
• Đề tài nghiên cứu khoa học
• Báo cáo nghiên cứu khoa học