TAILIEUCHUNG - MOSFET MODELING FOR VLSI SIMULATION - Theory and Practice Episode 14

Tham khảo tài liệu 'mosfet modeling for vlsi simulation - theory and practice episode 14', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | 496 9 Data Acquisition and Model Parameter Measurements 32 s. H. Lin and J. Reuter The complete doping profile using MOS cv technique Solid-State Electron. 26 pp. 343-351 1983 . 33 G. Baccarani H. Rudan G. Spaini H. Maes w. V. Ander Vorst and R. Van Overstraeten Interpretation of C-V measurements for determining the doping profile in semiconductors Solid-State Electron. 23 pp. 65-71 1980 . 34 c. p. Wu E. c. Douglas and c. w. Mueller Limitations of the C-V technique for ion-implanted profiles IEEE Trans. Electron Devices ED-22 pp. 319- 329 1975 . 35 B. J. Gordon On-line capacitance-voltage doping profile measurement IEEE Trans. Electron Devices ED-27 pp. 2268-2272 1980 . 36 K. Lehovec C-V profiling of steep dopant distribution Solid-State Electron. 27 pp. 1097-1105 1984 . 37 I. G. McGillivray J. M. Robertson and A. J. Walton Improved measurement of doping profile in silicon using cv techniques IEEE Trans. Electron Devices ED-35 pp. 174-179 1988 . 38 K. Iniewski and c. A. T. Salama A new approach to cv profiling with sub-debyelength resolution Solid-State Electron. 34 pp. 309-314 1991 . 39 G. Lubberts Rapid determination of semiconductor doping and flatband voltage in large MOSFETs J. Appl. Phys. 48 pp. 5355-5356 1977 . 40 J. A. Wikstrom and c. R. Viswanathan A direct depletion capacitance measurement technique to determine the doping profile under the gate of a MOSFET IEEE Trans. Electron Devices ED-34 pp. 2217-2219 1987 . 41 M. Shannon DC measurement of the space charge capacitance and impurity profile beneath the gate of an MOST Solid-State Electron. 14 pp. 1099-1106 1971 . 42 M. G. Buehler Dopant profiles determined from enhancement-mode MOSFET DC measurements Appl. Phys. Lett. 31 pp. 848-850 1977 . 43 M. H. Chi and c. M. Hu Errors in threshold-voltage measurements of MOS transistors for dopant-profile determinations Solid-State Electron. 24 pp. 313-316 1981 . 44 G. p. Carver Influence of short-channel effects on dopant profiles obtained from the DC MOSFET .

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.