TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Self-assembled monolayer of designed and synthesized triazinedithiolsilane molecule as interfacial adhesion enhancer for integrated circuit"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Self-assembled monolayer of designed and synthesized triazinedithiolsilane molecule as interfacial adhesion enhancer for integrated circuit | Wang et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 483 http content 6 1 483 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access Self-assembled monolayer of designed and synthesized triazinedithiolsilane molecule as interfacial adhesion enhancer for integrated circuit Fang Wang Yanni Li Yabin Wang and Zhuo Cao Abstract Self-assembled monolayer SAM with tunable surface chemistry and smooth surface provides an approach to adhesion improvement and suppressing deleterious chemical interactions. Here we demonstrate the SAM comprising of designed and synthesized 6- 3-triethoxysilylpropyl amino-1 3 5-triazine-2 4-dithiol molecule which can enhance interfacial adhesion to inhibit copper diffusion used in device metallization. The formation of the triazinedithiolsilane SAM is confirmed by X-ray photoelectron spectroscopy. The adhesion strength between SAM-coated substrate and electroless deposition copper film was up to MPa. The design strategy of triazinedithiolsilane molecule is expected to open up the possibilities for replacing traditional organosilane to be applied in microelectronic industry. Keywords adhesion copper diffusion barrier self-assembled monolayer surface chemistry Introduction Isolating individual components of nanoscale architectures comprised of thin films or nanostructures is a critical challenge in micro- and nanoscale device fabrication 1 . One important example that illustrates this challenge could be seen in Cu-interconnected sub-100-nm device structures which require less than 5-nm-thick interfacial layers to inhibit Cu diffusion into adjacent dielectrics 2 . Conventional interfacial barrier layers such as TaN Ta Ti TiN or W have already been optimized in microelectronic applications. However such thick layers are not suitable for micro- and nanoscale device fabrication and the above materials cannot form uniform and continuous film below 5 nm in thickness 3 . The barrier layer thickness must be .

• Báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học
• báo cáo hóa học
• công trình nghiên cứu về hóa học
• tài liệu về hóa học
• cách trình bày báo cáo
• trình bày báo cáo
• tài liệu báo cáo khoa học
• cách trình bày báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học sinh học
• báo cáo khoa học toán học
• luận văn mẫu
• người lính việt nam
• sau chiến tranh
• tuyển tập báo cáo khoa học
• báo cáo ngành triết học
• báo cáo ngành lịch sử
• báo cáo ngành văn học
• nghiên cứu khoa học
• báo cáo về văn học
• báo cáo triết học
• báo cáo văn học
• chuyên đề văn học
• văn học nghệ thuật
• văn học Việt NAm
• báo cáo ngành toán học
• báo cáo ngành vật lý
• báo cáo ngành chăn nuôi
• văn học Trung Hoa
• báo cáo khoa học kinh tế
• Kỷ yếu tóm tắt báo cáo khoa học
• Báo cáo khoa học y học
• Báo cáo y học
• Hội nghị khoa học tim mạch
• Báo cáo khoa học y khoa
• Tăng huyết áp
• báo cáo sinh học
• bảo tồn nguồn gen
• báo cáo ngành kỹ thuật
• Báo cáo quản lý chất thải sinh hoạt
• Báo cáo khoa học môi trường
• Báo cáo khoa học công nghệ
• Nghiên cứu khoa học về môi trường
• Đề tài nghiên cứu khoa học
• Báo cáo nghiên cứu khoa học