TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Synthesis of SnS nanocrystals by the solvothermal decomposition of a single source precursor"

Tham khảo luận văn - đề án 'báo cáo hóa học: " synthesis of sns nanocrystals by the solvothermal decomposition of a single source precursor"', luận văn - báo cáo phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | Nanoscale Res Lett 2007 2 144-148 DOI s11671-007-9045-9 NANO EXPRESS Synthesis of SnS nanocrystals by the solvothermal decomposition of a single source precursor Dmitry S. Koktysh James R. McBride Sandra J. Rosenthal Published online 24 February 2007 To the authors 2007 Abstract SnS nanocrystals NCs were synthesized from bis diethyldithiocarbamato tin II in oleylamine at elevated temperature. High-resolution transmission electron microscopy HRTEM investigation and X-ray diffraction XRD analysis showed that the synthesized SnS particles are monocrystalline with an orthorhombic structure. The shape and size tunability of SnS NCs can be achieved by controlling the reaction temperature and time and the nature of the stabilizing ligands. The comparison between experimental optical band gap values shows evidence of quantum confinement of SnS NCs. Prepared SnS NCs display strong absorption in the visible and near-infrared NIR spectral regions making them promising candidates for solar cell energy conversion. Keywords Tin sulfide Collodal nanocrystals Chemical synthesis Optical properties Solar energy conversion Introduction Among the extensively studied IV-VI semiconductor materials SnS has attracted particular attention as a low-toxicity 1 2 photoconductor for the fabrication of D. S. Koktysh H J. R. McBride S. J. Rosenthal Department of Chemistry Vanderbilt University Station B 351822 Nashville TN 37235 USA e-mail D. S. Koktysh S. J. Rosenthal Vanderbilt Institute of Nanoscale Science and Engineering Vanderbilt University Station B 350106 Nashville TN 37235 USA photoelectric energy conversion and near-infrared NIR detector materials. Semiconductor SnS has an optical band gap value of eV 3 a large optical absorption coefficient of 104 cm-1 4-6 and a high photoelectric conversion efficiency up to 25 7 8 . Conventional SnS synthetic techniques have been applied most often for the fabrication of bulk SnS films 4-6 8-14 . There have

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.