TAILIEUCHUNG - Cấu kiện điện tử - vật liệu điện tử - Dư Quang Bình - 5

Nhưng các đặc trưng tín hiệu nhỏ của chúng và các mạch tương đương tín hiệu nhỏ là giống nhau. Nên khi thiết kế các mạch bằng FET cần phải đáp ứng đến cả hai điều kiện đó. Mạch hình là mạch tương đương tín hiệu nhỏ được sử dụng nhiều ở tần số thấp nhưng mạch không mô tả đầy đủ hoạt động của FET tại tần số cao. MOSFET bao gồm hai vùng dẫn, cổng và kênh dẫn được tách rời bởi một lớp cách điện. Cấu trúc này tạo thành một tụ điện có lớp cách. | CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 79 Nhưng các đặc trưng tín hiệu nhỏ của chúng và các mạch tương đương tín hiệu nhỏ là giống nhau. Nên khi thiết kế các mạch bằng FET cần phải đáp ứng đến cả hai điều kiện đó. Mạch hình là mạch tương đương tín hiệu nhỏ được sử dụng nhiều ở tần số thấp nhưng mạch không mô tả đầy đủ hoạt động của FET tại tần số cao. MOSFET bao gồm hai vùng dẫn cổng và kênh dẫn được tách rời bởi một lớp cách điện. Cấu trúc này tạo thành một tụ điện có lớp cách điện là điện môi. Ở JFET lớp cách điện được thay thế bởi vùng nghèo. Trong cả hai trường hợp đều có điện dung hiện diện giữa cổng và kênh dẫn và các điện dung ở các phần khác như đã xét ở mục ở phần trước. Vì vậy sẽ tồn tại các điện dung giữa mỗi cặp chân của FET. Ở tần số thấp ảnh hưởng của các điện dung này là nhỏ nên chúng thường được bỏ qua như ở hình . Tuy nhiên ở tần số cao các ảnh hưởng của chúng là đáng kể hơn nên chúng cần phải được kế đến như mô tả ở hình . Giá trị của mỗi tụ được mô tả trong hình vào khoảng 1pF. nguồn điện áp cung câp đột vào cực cổng Sự có mặt của CGD làm cho việc phân tích mạch bằng FET phức tạp hơn nhiều. Dĩ nhiên ta có thể thay thế các ảnh hưởng của điện dung này bằng cách tăng giá trị điện dung giữa cổng và nguồn. Trong thực tế thì điện dung giữa cổng và nguồn có cùng ảnh hưởng như CGD là A 1 Cgd trong đó A là hệ số khuyếch đại điện áp giữa máng và cổng. Vì vậy có thể mô tả FET ở tần số cao bằng mô hình tương đương như ở hình trong đó ảnh hưởng của cả hai điện dung CGS và CGD được gộp lại thành một điện dung CT sẽ tượng trưng cho tổng điện dung vào. Điện dung này sẽ làm giảm hệ số khuyếch đại của dụng cụ ở tần số cao và xuất hiện điểm cắt tại tần số được xác định bởi giá trị của điện dung và trở kháng của đầu vào và đất. Trở kháng này hầu như được chi phối bởi điện trở vùng nguồn. Tuy nhiên trong một vài trường hợp trở kháng vào tương ứng với điện trở rGS trong mạch tương đương. Ảnh hưởng của điện dung làm giảm nhiều hoạt động của FET ở tần số cao.

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.