TAILIEUCHUNG - Cấu kiện điện tử - vật liệu điện tử - Dư Quang Bình - 4

Trong vùng nghèo không có các hạt tải điện tự do, nên vẫn không thể có dòng điện xuất hiện giữa cực Nguồn và Máng. Tuy nhiên, cuối cùng khi điện áp Cổng-Kênh tăng lên vượt quá giá trị điện áp Ngưỡng VTN, như ở hình , thì các điện tử chảy vào từ vùng Nguồn, Máng và Đế để hình thành nên một lớp đảo kết nối vùng n+ Nguồn với vùng n+ Máng, tức là có một điện trở kết nối tồn tại giữa các cực Nguồn và Máng. Nếu đặt vào giữa hai cực Máng và Nguồn. | CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 59 vùng Cổng và vùng Nghèo này sẽ kết hợp với các vùng nghèo của Nguồn và Máng như đã chỉ ở hình . Trong vùng nghèo không có các hạt tải điện tự do nên vẫn không thể có dòng điện xuất hiện giữa cực Nguồn và Máng. Tuy nhiên cuối cùng khi điện áp Cổng-Kênh tăng lên vượt quá giá trị điện áp Ngưỡng VTN như ở hình thì các điện tử chảy vào từ vùng Nguồn Máng và Đế để hình thành nên một lớp đảo kết nối vùng n Nguồn với vùng n Máng tức là có một điện trở kết nối tồn tại giữa các cực Nguồn và Máng. Nếu đặt vào giữa hai cực Máng và Nguồn một điện áp dương thì các điện tử trong kênh sẽ trôi trong điện trường và tạo nên dòng điện qua các cực Máng và Nguồn. Dòng trong transistor NMOS luôn luôn chảy vào ở cực Máng qua kênh dẫn và ra ở cực Nguồn. Cực Cổng được cách ly với kênh dẫn nên sẽ không có dòng cổng dc và ta có ÍG 0. Các tiếp giáp pn giữa vùng máng với vùng đế vùng nguồn với vùng đế và cũng được tạo ra giữa vùng kênh dẫn với vùng đế phải luôn luôn được phân cực nghịch để đảm bảo chắc chắn là chỉ có một dòng rò do phân cực nghịch nhỏ để có thể được bỏ qua. Như vậy ta có thể xem rằng ÍB 0. Đối với một MOSFET như ở hình một kênh dẫn được cảm ứng nhờ điện áp đặt vào Cổng để có sự dẫn điện xảy ra. Điện áp Cổng sẽ tăng cường độ dẫn điện của kênh dẫn nên MOSFET loại này có tên gọi là loại dụng cụ hoạt động ở chế độ tăng cường. c Đặc tuyến i-v của transistor NMOS ở vùng tuyến tính. Để xác định biểu thức về quan hệ của dòng điện chảy qua các cực của transistor NMOS theo các điện áp đặt vào các cực ta có thể xem rằng dòng ÍG và ÍB đều bằng 0 đã xét ở trên . Vì vậy dòng điện vào ở cực Máng phải bằng với dòng điện chảy ra ở cực Nguồn nên ta có js ÍD ÍDS Biểu thức cho dòng Máng-Nguồn ÍDS có thể được viết bằng cách xem xét dòng điện tích chảy trong kênh dẫn ở hình . Điện tích của điện tử trên một đơn vị độ dài gọi là điện tích đường tại một điểm bất kỳ trong kênh dẫn sẽ bằng Q -WC Ox vox - VTN C cm đối với điều kiện Vox Vtn Trong đó c x ox Tox .

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.