TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Strain Relief Analysis of InN Quantum Dots Grown on GaN ´ ´ Juan G. Lozano Æ Ana M. Sanchez Æ Rafael Garcıa Æ ´ Sandra Ruffenach Æ Olivier Briot Æ David Gonzalez"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Strain Relief Analysis of InN Quantum Dots Grown on GaN ´ ´ Juan G. Lozano Æ Ana M. Sanchez Æ Rafael Garcıa Æ ´ Sandra Ruffenach Æ Olivier Briot Æ David Gonzalez | Nanoscale Res Lett 2007 2 442-446 DOI s11671-007-9080-6 NANO EXPRESS Strain Relief Analysis of InN Quantum Dots Grown on GaN Juan G. Lozano Ana M. Sanchez Rafael García Sandra Ruffenach Olivier Briot David Gonzalez Received 19 May 2007 Accepted 18 July 2007 Published online 10 August 2007 to the authors 2007 Abstract We present a study by transmission electron microscopy TEM of the strain state of individual InN quantum dots QDs grown on GaN substrates. Moire fringe and high resolution TEM analyses showed that the QDs are almost fully relaxed due to the generation of a 60 misfit dislocation network at the InN GaN interface. By applying the Geometric Phase Algorithm to plan-view high-resolution micrographs we show that this network consists of three essentially non-interacting sets of misfit dislocations lying along the ZĨ2Ĩ0 directions. Close to the edge of the QD the dislocations curve to meet the surface and form a network of threading dislocations surrounding the system. Keywords Misfit relaxation Strain mapping High misfit interface HRTEM InN Introduction Indium Nitride InN with a band gap of eV 1 2 has become the focus of increased attention among the III-N compounds due to its potential for near-infrared optoelectronic devices or high efficiency solar cells 3 . Moreover the combination of the intrinsic properties of InN with quantum phenomena 4 resulting from the J. G. Lozano El A. M. Sanchez R. García D. Gonzalez Departamento de Ciencia de los Materiales e Ingeniería Metalurgica y Quimica Inorganica Facultad de Ciencias Universidad de Cadiz 11510 Puerto Real Cadiz Spain e-mail S. Ruffenach O. Briot Groupe d Etilde des Semiconducteurs UMR 5650 CNRS Place Eugene Bataillon Universite Montpellier II 34095 Montpellier France growth of self-assembled quantum dots QDs promises further applications. However the fabrication of high quality crystalline InN is not straightforward one of the main difficulties is the lack of a .

• Báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học
• báo cáo hóa học
• công trình nghiên cứu về hóa học
• tài liệu về hóa học
• cách trình bày báo cáo
• trình bày báo cáo
• tài liệu báo cáo khoa học
• cách trình bày báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học sinh học
• báo cáo khoa học toán học
• luận văn mẫu
• người lính việt nam
• sau chiến tranh
• tuyển tập báo cáo khoa học
• báo cáo ngành triết học
• báo cáo ngành lịch sử
• báo cáo ngành văn học
• nghiên cứu khoa học
• báo cáo về văn học
• báo cáo triết học
• báo cáo văn học
• chuyên đề văn học
• văn học nghệ thuật
• văn học Việt NAm
• báo cáo ngành toán học
• báo cáo ngành vật lý
• báo cáo ngành chăn nuôi
• văn học Trung Hoa
• báo cáo khoa học kinh tế
• Kỷ yếu tóm tắt báo cáo khoa học
• Báo cáo khoa học y học
• Báo cáo y học
• Hội nghị khoa học tim mạch
• Báo cáo khoa học y khoa
• Tăng huyết áp
• báo cáo sinh học
• bảo tồn nguồn gen
• báo cáo ngành kỹ thuật
• Báo cáo quản lý chất thải sinh hoạt
• Báo cáo khoa học môi trường
• Báo cáo khoa học công nghệ
• Nghiên cứu khoa học về môi trường
• Đề tài nghiên cứu khoa học
• Báo cáo nghiên cứu khoa học