TAILIEUCHUNG - Semiconductor Technologies Part 12

Tham khảo tài liệu 'semiconductor technologies part 12', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | Applications of saturable absorption-based nonlinear vertical-cavity semiconductor devices for all-optical signal processing 323 In this chapter we review a device engineering method we have developed to provide high functionality of passive nonlinear vertical-cavity devices exploiting saturable absorption in semiconductor MQWs. Section 2 is concerned with the design and fabrication of the verticalcavity nonlinear gate. The advantages of the proposed approach for all optical gating in terms of enhanced throughput increased optical signal-to-noise ratio OSNR and high switching CR are then discussed in Section 3. Subsequently a specific application in a wavelength conversion experiment is presented in Section 4 whereas in Section 5 and Section 6 we show how this approach enables complex functions for all optical networking and different logic operations respectively to be implemented which would not otherwise be possible with standard SAs. Analytical and numerical modelling of devices will be presented throughout the different sections the models can be exploited for device optimization and design trade-offs. Finally these results will be summarized in Section 7. 2. Device Structure Dielectric or Semiconductor mirror Rt 100 Semiconductor mirror Rb 100 Wavelength nm Fig. 1. Left schematic structure of a nonlinear VCSG based on saturable absorption in MQWs. Right typical spectral reflectivity of the bottom DBR mirror. The typical structure of a nonlinear vertical-cavity device based on saturable absorption in semiconductor MQWs is shown in Fig. 1 left . We will refer to this generic structure throughout the text as a vertical-cavity semiconductor gate VCSG . The structure consists of an AFP cavity formed between a bottom mirror with a reflectivity Rb approaching 100 and a top mirror with lower reflectivity Rt. The mirrors can be fabricated based on either semiconductor or dielectric materials or in the case of the highly reflective bottom mirror with a thin layer of .

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.