TAILIEUCHUNG - Semiconductor Technologies Part 8

Tham khảo tài liệu 'semiconductor technologies part 8', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | GaN-based metal-oxide-semiconductor devices 203 Nakamura S. Senoh M. Nagahama S. Iwasa N. Yamada T. Sushita T. M. Kiyoku H. Sugimoto Y. Kozaki T. Umemoto H. Sano M. Chocho K. 1998 . InGaN GaN AlGaN-based laser diodes with modula-tion-doped strained-layer superlattices grown on an epitaxially laterally overgrown gan substrate. Appl. Phys. Lett. Vol. 72 No. 12 Nov. 1998 211-213 0003-6951 Nakano Y. Kachi T. 2003 . Characteristics of SiO2 n-GaN interfaces with -Ga2O3 interlayers. Appl. Phys. Lett. Vol. 83 No. 21 Nov. 2003 4336-4338 0003-6951 Navarro A. Rivera C. Pereiro J. Munoz E. Imer B. DenBaars S. P. Speck J. S. 2009 . High responsivity a-plane GaN-based metal-semiconductor-metal photodetectors for polarization-sensitive applications. Appl. Phys. Lett. Vol. 94 May 2009 213512213514 0003-6951 Ohno Y. Kuzuhara M. 2001 . Applications of GaN-based heterojunction fets for advanced wireless communication. IEEE Trans. Electron Deices Vol. 48 No. 3 Mar. 2001 517-523 0018-9383 Okita H. Kaifu K. Mita J. Yamada T. Sano Y. Ishikawa H. Egawa T. Jimbo T. 2003 . High transconductance AlGaN GaN-HEMT with recessed gate on sapphire substrate. Phys. Stat. Sol. a Vol. 200 No. 1 Nov. 2003 187-190 0031-8965 Onojima N. Higashiwaki M. Suda J. Kimoto T. Mimura T. Mastsui T. 2007 . Reduction in potential barrier height of AlGaN GaN heterostructures by SiN passivation. J. Appl. Phys Vol. 101 No. 4 Feb. 2007 043703-1-043703-6 00218979 Palacios T. Chakraborty A. Heikman S. Keller S. DenBaars S. P. Mishra U. K. 2006 . AlGaN GaN high electron mobility transistors with InGaN back-barriers. IEEE Electron Device Lett. Vol. 27 No. 1 Jan. 2006 13-15 0741-3106 Park K. Y. Cho H. I. Choi H. C. Bae Y. H. Lee C. S. Lee J. L. Lee J. H. 2004 . Device characteristics of AlGaN GaN MIS-HFET using Al2O3-HfO2 laminated high-k dielectric. . Appl. Phys. Vol. 43 No. 11A Oct. 2004 L1433-L1435 0021-4922 Pau J. L. Rivera C. MuEoz E. Calleja E. Schuhle U. Frayssinet E. Beaumont B. Faurie J. P. Gibart P. 2004 . .

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.