TAILIEUCHUNG - Điện tử học : Diod part 3

Tham khảo tài liệu 'điện tử học : diod part 3', kỹ thuật - công nghệ, điện - điện tử phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | Light output n Substrate A Epitaxial layers Fig. A schematic illustration of one possible LED device structure. First n is epitaxially grown on a substrate. A thin p layer is then epitaxially grown on the first layer. From Principles of Electronic Materials and Devices Second Edition . Kasap McGraw-Hill 2002 http Eg a y Ec Ey-- E en b N doped GaP Fig. a Photon emission in a direct bandgap semiconductor. b GaP is an indirect bandgap semiconductor. When doped with nitrogen there is an electron recombination center at EN. Direct recombination between a captured electron at EN and a hole emits a photon. From Principles of Electronic Materials and Devices Second Edition . Kasap McGraw-Hill 2002 http Mach LED LED dan co VD 1 6V - 2 2V ID 5 - 30mA Chon trung bình VD 2V va ID 10 mA Mach co điện trở RD nối với LED với nguonVcc cach tính trị RD tuy theo trị sốố nguốn Vcc V CC R dI D V D _ V CC - V D Rd _ Id I Vcc 5V RD 200 Ohm Chon 270 hoặc 330 Ohm 9V 700 Ohm Chon 680 12V 1000 Ohm Vcc A .

TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.