TAILIEUCHUNG - Giáo trình hình thành các loại diode thông dụng trong điện dung chuyển tiếp p7

Trong mô hình các dòng điện chạy trong transistor ta thấy: điểm B’ nằm trong vùng nền được xem như trung tâm giao lưu của các dòng điện. Do nối nền phát phân cực thuận nên giữa B’ và E cũng có một điện trở động re giống như điện trở động rd trong nối P-N khi phân cực thuận nên: re | Giáo trình Linh Kiện Điện Tử VBE t - Vbe Vbe t Thành phần tức thời - thành phần DC thành phần xoay chiều. Trong mô hình các dòng điện chạy trong transistor ta thấy điểm B nằm trong vùng nền được xem như trung tâm giao lưu của các dòng điện. Do nối nền phát phân cực thuận nên giữa B và E cũng có một điện trở động re giống như điện trở động rd trong nối P-N khi phân cực thuận nên re 26mV Ie n p B n- ieị ib ic B Hình 31 Ngoài ra ta cũng có điện trở rb của vùng bán dẫn nền phát ở đây ta có thể coi như đây là điện trở giữa B và B . Do giữa B và C phân cực nghịch nên có một điện trở r0 rất lớn. Tuy nhiên vẫn có dòng điện ic - - chạy qua và được coi như mắc song song với r0. a là độ lợi dòng điện xoay chiều trong cách mắc nền chung a aac ac AIC ÃIE diC diE Ịc ie Thông thường a hoặc aac gần bằng aDC và xấp xĩ bằng đơn vị. p là độ lợi dòng điện xoay chiều trong cách mắc cực phát chung. p pac hfe ac fe AiC diC ic Ai B diB ib Thông thường p hoặc pac gần bằng pDC và cũng thay đổi theo dòng ic. Trị số a p cũng được nhà sản xuất cung cấp. Như vậy mô hình của transistor đối với tín hiệu xoay chiều có thể được mô tả như sau rb thường có trị số khoảng vài chụcBÌ r0 rấHớh 1Ì211 có thể bỏ qua trong mô hình của transistor. Trang 81 Biên soạn Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử 2. Điện dẫn truyền transconductance Ta thấy rằng dòng điện cực thu IC thay đổi theo điện thế nền phát VBE. Người ta có thể biểu diễn sự thay đổi này bằng một đặc tuyến truyền transfer curve của transistor. Đặc tuyến này giống như đặc tuyến của diode khi phân cực thuận. Người ta định nghĩa điện dẫn truyền của transistor là Aic ic t AVbe Vbe t Và đó chính là độ dốc của tiếp tuyến với đặc tuyến truyền tại điểm điều hành Q. Tương tự như diode ta cũng có VBE T I .e VT XC CES -e Trong đó IC là dòng điện phân cực cực thu ICES là dòng điện rĩ cực thu khi VBE 0V VT T nhiệt độ Kelvin e Ở nhiệt độ bình thường 250C VT 26mV Ta có thể tính gm bằng cách lấy đạo hàm của IC theo VBE. dI I g dI e 8m dVBE VT BE

• Vật lý
• giáo trình vật lý
• tài liệu vật lý
• phương pháp quang học
• kỹ năng quang học
• thủ thuật quang học
• Vật lý đại cương
• Thực hành vật lý đại cương
• Giáo trình vật lý ngành dược
• Hướng dẫn thực hành vật lý
• Báo cáo thí nghiệm vật lý
• Tài liệu vật lý đại cương
• Giáo trình vật lý đại cương
• giáo án vật lý 11 chương trình nâng cao
• bài giảng Vật Lý 11
• thiết kế bài giảng Vật Lý 11
• tài liệu Vật Lý 11
• giáo trình Vật Lý 11
• đề cương Vật Lý 11
• tài liệu ôn thi vật lý
• các dạng bài tập vật lí
• trắc nghiệm lí thuyết vật lí
• giáo án vật lí cơ bản
• cơ ứng dụng
• công suất điện
• bài giảng vật lý
• đề cương vật lý
• bài tập vật lý
• Lý thuyết Vật lý
• Độc lực học chất điểm
• Sinh lý thực vật
• Giáo trình Sinh lý thực vật
• Sinh lý tế bào thực vật
• Tế bào thực vật
• Sự trao đổi nước của thực vật
• Quang hợp của thực vật
• Hô hấp của thực vật
• Chất đồng hóa
• Giáo trình nghề Bảo vệ thực vật
• Phân phối chương trình THCS
• Phân phối chương trình môn Vật lý
• Phân phối chương trình môn Vật lý 6
• Phân phối chương trình môn Vật lý 7
• Phân phối chương trình môn Vật lý 8
• Phân phối chương trình môn Vật lý 9
• giáo án vật lý 11 chương trình chuẩn