TAILIEUCHUNG - Engineering Materials and Processes phần 9

kể từ khi xu hướng thay thế Al (Cu) với Cu đang trở nên rõ ràng cho các ứng dụng tích hợp quy mô cực lớn (ULSI). Ag, là kim loại dẫn điện nhất, cũng thu hút sự chú ý như là một vật liệu kết nối cho một số ứng dụng tiềm năng trong ULSI [1, 2]. Ag có một số lợi thế hơn Cu về độ dẫn. Kể từ khi ứng dụng rộng rãi của Cu | Integration Issues 103 its eutectic point further annealing in an oxidizing ambient no longer gives outdiffusion of silicon 11 . Crystallization takes place during annealing which greatly reduces the number of grain boundaries in the annealed samples compared with the polycrystalline films in the as-deposited state. Under the same annealing conditions temperature and time the 50 nm-thick Au layer compared to the 150 nm forms a slightly thicker oxide due to the longer diffusion path for the thicker Au overlayer 13 . Conclusions In 30 years the Hiraki et al. 11 conclusion has not changed When a single crystal substrate of silicon is covered with evaporated gold and heated at relatively low temperatures 100-300 C in an oxidizing atmosphere a silicon-dioxide layer is readily formed over the gold layer . This investigation reaffirmed the Au Si results 13 . No oxide layer is formed on Ag Si layers annealed under the same conditions. The Ag forms a discontinuous layer. The results obtained from the Au Si and Ag Si correlate well with the surface potential model. Silver Metallization on Silicides with Nitride Barriers Introduction The attractive properties of Ag such as its low resistivity coupled with increased resistance to electromigration have propelled some exciting research aimed towards its use as a future interconnect material in the next generation of ULSI devices 14 . Early studies of the Ag Si interface have shown the morphological stability to be poor since it is prone to agglomeration upon annealing of only 200 oC. The addition of a thin interposing Au layer between Ag and Si has improved the stability of the interface by forming an intermixed region which lowers the interfacial energy of the original Ag Si system. Several authors have investigated the behavior of Ag at the SiO2 Si interface 15 . Results 16 suggest that diffusion of trace amounts of Ag occur in the Ag CoSi2 Si and Ag NiSi Si systems. To combat such problems several barriers for

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.