TAILIEUCHUNG - Fundamentals of Semiconductors Part 5

Tham khảo tài liệu 'fundamentals of semiconductors part 5', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | 184 4. Electronic Properties of Defects an efficient light emitter because it has an indirect bandgap. In order to conserve the wave vector during optical transitions radiative recombination of an exciton in an indirect-bandgap semiconductor requires the cooperation of phonons Sect. . As a result indirect-bandgap semiconductors have smaller light emission probabilities than direct-bandgap semiconductors. However excitons bound to N in GaP have a relatively high probability of radiative recombination because the localized N centers break the translational invariance of the crystal and thereby relax the wave vector conservation requirement in optical transitions. As a result GaP becomes a more efficient fight emitter with the introduction of N. The optical properties of impurities in GaP will be studied in more detail in Chap. 7 when we discuss luminescence. We now calculate the binding energy of an electron to N in GaP using the Green s function method. First we have to determine the impurity potential V. Since V has a very short range we will simply assume V to be a delta function in space. More precisely we assume the matrix element of V to be n R V I n R U0Ồnjl ĩ RJt ĩ n ữĩ R o where n and n are band indices with the lowest conduction band numbered arbitrarily as 0 R and R are lattice vectors with Np assumed to be the origin and denotes the Wannier function anR defined in . When defined in this way V is known as the Slater-Koster interaction potential. Experimentally it is known that N in GaP forms only one bound state inside the energy gap. Using the result of Sect. the energy E of this bound state can be obtained by solving the determinant in . Substituting V into we obtain 1 - t o O ơ E- Ho -1 0 ơ 0. There are two ways to solve . One approach is to use a simple tight-binding model with the minimum number of parameters as discussed in the last section. Another method is to use a more exact band structure obtained by .

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.