TAILIEUCHUNG - Bài giảng điện tử số part 4

Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (tiếng Anh: Giant magnetoresistance, viết tắt là GMR) là sự thay đổi lớn của điện trở ở các vật liệu từ dưới tác dụng của từ trường ngoài. Tên gọi gốc tiếng Anh của GMR là "Giant magnetoresistance", dịch sang tiếng Việt còn chưa thống nhất (giữa từ "lớn" hay "khổng lồ") do việc so sánh với tên gọi một hiệu ứng từ điện trở khác có tên tiếng Anh là "Colossal magnetoresistance" (Từ "Colossal" có nghĩa còn lớn hơn với "Giant"). | Chương 3. Các phần tử logic cơ bản Trang 39 Transistor Q1 được sử dụng gồm 2 tiếp giáp BE1 BE2 và một tiếp giáp BC. Tiếp giáp BE1 BE2 của Q1 thay thế cho Db D2 và tiếp giáp BC thay thế cho D3 trong sơ đồ mạch cổng NAND họ DTR hình . Giải thích hoat đông của mach hình - x1 x2 0 các tiếp giáp BEb BE2 sẽ được mở làm cho điện áp cực nền của Q1 VB Vg 0 6V. Mà điều kiện để cho tiếp giáp BC diode D và Q2 dẫn thì điện thế ở cực nền của Q1 phải bằng Vb Vg BC V BE1 V BE2 0 6 0 7 0 6 1 9V Chứng tỏ khi các tiếp giáp BE1 BE2 mở thì tiếp giáp BC diode D và BJT Q2 tắt y 1. - x1 0 x2 1 các tiếp giáp BE1 mở BE2 tắt thì tiếp giáp BC diode D và BJT Q2 tắt y 1. - x1 1 x2 0 các tiếp giáp BE1 tắt BE2 mở thì tiếp giáp BC diode D và BJT Q2 tắt y 1. - x1 x2 1 các tiếp giáp BE1 BE2 tắt thì tiếp giáp BC diode D dẫn và BJT Q2 dẫn bão hòa y 0 Vậy đây chính là mạch thực hiện cổng NAND theo công nghệ TTL. Để nâng cao khả năng tải của cổng người ta thường mắc thêm ở ngõ ra một tầng khuếch đại kiểu C chung CC như sơ đồ mạch trên hình Để nâng cao tần số làm việc của cổng người ta cho các BJT làm việc ở chế độ khuếch đại điều đó có nghĩa là người ta khống chế để sao cho các tiếp xúc Jc của BJT bao giờ cũng ở trạng thái phân cực ngược. Bằng cách mắc song song với tiếp giáp JC của BJT một diode Schottky. Đặc điểm của diode Schottky là tiếp xúc của nó gồm một chất bán dẫn với một kim loại nên nó không tích lũy điện tích trong trạng thái phân cực thuận nghĩa là thời gian chuyển từ phân cực thuận sang phân cực ngược nhanh hơn nói cách khác BJT sẽ chuyễn đổi trạng thái nhanh hơn. Lưu ý Người ta cũng không dùng diode Zener bởi vì tiếp xúc của diode Zener là chất bán dẫn nên sẽ tích trữđiện tích dư. Sơ đồ mạch cải tiến có diode Schottky trên sẽ vẽ tương đương như sau hình Bài giảng ĐIỆN TỬ SÔ 1 Trang 40 Hình . Công logic họ TTL dùng diode Schottky Ho ECL Emitter-Coupled-Logic VCC 0V R3 R4 R7 Q3 x1 R1 Q1 o-AVv -x2 O- M--- R2 Q2 Q4 R6 y1 Oy2 RE -VEE Hình . Cong logic họ ECL Emitter

• Vật lý
• bài giảng điện tử số
• tài liệu điện tử số
• giáo trình điện tử số
• bài giảng điện tử
• giáo trình điện tử
• Điện tử số
• Các hàm logic trong điện tử số
• Hệ tổ hợp điện tử số
• Các phần tử trong điện tử số
• đề cương điện tử số
• bài tập điện tử số
• Kỹ thuật điện
• Kỹ thuật điện tử
• Hệ đếm trong điện tử số
• Bài giảng Đại số 9 chương 2 bài 2
• Hàm số bậc nhất
• Toán đại số lớp 9
• Bài giảng Toán lớp 9
• Hàm số đồng biến
• Hàm số nghịch biến
• Bài giảng điện tử Toán 9
• Bài giảng điện tử lớp 9
• Thông quan điện tử
• Thủ tục thông quan điện tử
• Bài giảng Thủ tục thông quan điện tử
• Điều kiện đăng ký thông quan điện tử
• Đăng ký thông quan điện tử
• Tờ khai thông quan điện tử
• Bài tập Biến
• Bài tập tham số
• Bài giảng Điện tử Tin học 11 bài 20
• Bài giảng Điện tử Tin học 11
• Bài giảng điện tử lớp 11