TAILIEUCHUNG - Advances in Photodiodes Part 12

Tham khảo tài liệu 'advances in photodiodes part 12', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | n-Type p-FeSi2 p-type Si Near-infrared Photodiodes Prepared by Facing-targets Direct-current Sputtering 319 CN OJ CXJ Intensity arb. unit 20 30 40 . 50 2 deg 60 70 Fig. 2. X-ray diffraction pattern of the P-FeSi2 thin film measured by a 2B-B method. The inset is the extension of P-404 440 peaks. 320 Advances in Photodiodes Intensity . p degree a 90 180 270 b Fig. 3. a X-ray diffraction pattern of the P-FeSi2 thin film measured by a ọ-scan method b pole figure plot of the 440 404 diffraction peak of P-FeSi2 n-Type p-FeSi2 p-type Si Near-infrared Photodiodes Prepared by Facing-targets Direct-current Sputtering 321 Optical characterization The absorption coefficient is a strong function of the wavelength or photon energy. Near the absorption edge the absorption coefficient for direct bandgap transitions can be expressed as a X hv - Eg 1 2 where hv is the photon energy and Eg is the value of the bandgap. The absorption coefficient of P-FeSi2 thin film with thickness of 200 nm was measured to be 7 104 cm-1 at 1 eV. The interpolated indirect and direct optical band gaps were and eV respectively Yoshitake et al 2006 . These values are in good agreement with those of the single crystalline bulk Udono et al 2004 . The absorption coefficient exceeds of 104 cm-1 for energies above eV which is close to the indirect optical bandgap of P-FeSi2. From this measurement the corresponding cut-off wavelength Ầc of photodiode devices with P-FeSi2 thin film is expected to be pm. Figure 4 a shows the photoelectron spectrum of a P-FeSi2 film. The threshold of the incident photon energy which corresponds to the ionization potential of P-FeSi2 qVip was measured to be eV. From this value and the well-known parameters of Si and P-FeSi2 the energy band diagram of the n-type P-FeSi2 p-type Si heterostructure was derived as shown in Fig. 4 b . Here the Fermi level of P-FeSi2 was assumed to be close to the conduction band because its high carrier density ranged .

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.