TAILIEUCHUNG - Giáo trình Kỷ Thuật Điện Tử - Ths Lê Xứng - ĐHBK ĐH Đà Nẵng

CHƯƠNG 1: CHẤT BÁN DẪN . Sơ lược về lịch sử phát triển của ngh ành Điện tử Vào năm 1947, tại phòng thí nghiệm của Bell, John Bardeen v à Walter Brattain đã thành công trong việc phát minh Transistor l ưỡng cực BJT(Bipolar Junction Transistor). Đây là một bước ngoặt đánh dấu sự bắt đầu của thời đại bán dẫn. Phát minh này và một chuỗi phát triển của công nghệ vi điện tử đ ã thật sự làm thay đổi cuốc sống loài người. 1948 Transistor đầu tiên ra đời. Đây là một cuộc Cách mạng của ng. | Chương 1 Chất bán dẫn CHƯƠNG 1 CHẤT BÁN DẪN . Sơ lược về lịch sử phát triển của ngh ành Điện tử Vào năm 1947 tại phòng thí nghiệm của Bell John Bardeen v à Walter Brattain đã thành công trong vi ệc phát minh Transistor lưỡng cực BJT Bipolar Junction Transistor . Đây là một bước ngoặt đánh dấu sự bắt đầu của thời đại bán dẫn. Phát minh này và m ột chuỗi phát triển của công nghệ vi điện tử đ ã thật sự làm thay đổi cuốc sống loài người. 1948 Transistor đầu tiên ra đời. Đây là một cuộc Cách mạng của ngành điện tử. 1950 Mạch điện tử chuyển sang d ùng transistor Hệ máy tính dùng linh kiện bán dẫn dạng rời rạc ra đời thế hệ II 1960 Mạch tích hợp ra đời IC Intergrated Circuit Hệ máy tính dùng IC ra đời thế hệ III 1970 Các m ạch tích hợp mật độ cao hơn ra đời MSI LSI VLSI MSI Medium Scale Intergrated Circuit LSI Large Scale Intergrated Circuit VSI Very Large Scale Intergrated Circuit 1980 đến nay Điện tử được ứng dụng rộng r ãi trong các lãnh v ực như y tế điều khiển tự động phát thanh truyền h inh. . Linh kiện điện tử Ta xét hai lo ại linh kiện cơ bản sau Linh kiện thụ động Có các thông số không đổi dưới tác dụng dòng điện điện trở tụ cuộn cảm. Linh kiện tích cực Có các thông số thay đổi dưới tác dụng dòng điện Diod Transistor lưỡng cực BJT Bipolar Junction Transistor . . Chất bán dẫn bán dẫn thuần Năng lượng Ạ Vùng dẫn của Si Vùng cấm Vùng hoá tr ị của Si Q Hình . Giản đồ năng lượng của Si Bài giảng môn Kỹ thuật điện tử Chương 1 Chất bán dẫn Hai chất bán dẫn tiêu biểu là Silicon Si và Ge Germanium . Si là chất bán dẫn mà tại nhiệt độ ph òng có rất ít e ở v ùng dẫn trong mạng tin h thể. Vì dòng điện tỷ lệ với số lượng e nên dòng điện trong tinh thể rất nhỏ. Ở nhiệt độ phòng e ở vùng hoá trị nhảy lên vùng dẫn để lại lỗ trống tại vị trí chứa nó mang điện tích dương. Hiện tượng này gọi là sự phát sinh điện tử-lỗ trống. Năng lượng Ạ --- Vùng dẫn của Si Vùng hoá trị của Si o k Hình . Sự di chuyển của điện tử v à lỗ trống trong Si khi có nguồn điện Nếu

• Điện - Điện tử
• Kỉ thuật điệntử
• Điện tử học
• Chất bán dẫn
• Điốt
• Transitor
• OP AMP
• Kỉ thuật tương tự
• Kỉ thuật xung số