TAILIEUCHUNG - Photodiodes World Activities in 2011 Part 14

Tham khảo tài liệu 'photodiodes world activities in 2011 part 14', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | HgCdTe Heterostructures Grown by MBE on Si 310 for Infrared Photodetectors 381 Effect of Nds 0 on the value of Nds x is relatively small especially when h 1 pm. The parameter b is determined by the growth conditions. If growth conditions are standard then the curves nds x for various systems are sufficiently close to one another. This is confirmed experimentally in Sheldon et al. 1988 for InAs GaAs GaAs Ge Si GaAs InP heterostructures grown by MOCVD. In this case nds x 109 x at h microns here the dimension of the Nds x - cm-2 X - thickness in microns . Molecular-beam epitaxy as a rule provides the Nds values in surface regions of films at 108106 cm-2 at h 5 microns. At the present time the method of selective etching is used to identify the threading dislocations. The density of etch pits is used as a parameter of structural quality in most studies of photodiodes on the basis of MCT. Figure 11 shows the density distribution of etch pits in layers of CdTe grown on Si 310 . Dependence of the density of etch pits on the layer thickness is satisfactorily described by the expression 3 b 10-5. That is the final density of threading dislocations in CdTe Si 310 heterostructures is determined by reactions between pairs of dislocations with identical Burgers vectors. Fig. 11. Etch pits density distribution throughout the thickness of CdTe grown on Si 310 . Dots - experimental results full line - calculated results. It can be seen from the data presented in Figure 11 that the thickness of the film CdTe h 5 -7 microns provides the dislocation density in the surface region Nds 107 cm-2 when grown on Si 310 . Further reduction of Nds without increasing the thickness of the film requires serious efforts. V-defects The mercury vapor pressure is less than 10-3 Torr at typical growth temperatures of MCT MBE 180-2000C which does not match the definition of the conditions of molecular beam 382 Photodiodes - World Activities in 2011 epitaxy - molecules or atoms of the .

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.