TAILIEUCHUNG - Photodiodes World Activities in 2011 Part 12

Tham khảo tài liệu 'photodiodes world activities in 2011 part 12', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | Single Crystal Diamond Schottky Photodiode 321 depletion layer width decreases with the increase in doping concentration and the tunnelling probability increases. So a good ohmic contacts are obtained by heavily doping the p-type diamond layer doping levels much larger than 1020cm-3 . The resulting layer p which is highly doped by B was metalized by silver paint annealed at 500 C for 10 min. The I-V characteristic is reported in where is also reported the specific resistance calculated by ohm s law. Shottky contact on intrinsic diamond layer The electrical characterization of the metal intrinsic diamond Schottky junction of the devices was performed at room temperature in a vacuum chamber with a background pressure of 10-4 mbar by measuring the current-voltage I V characteristics by using a Keithley 6517A pico-ampere meter. The I-V characteristic was obtained by applying a voltage to the metal contact while the p-type diamond layer is earthing. shows the typical I-V characteristic of the diamond Schottky photodiodes. When the p-type rectifyng contact is reverse biased by connecting the metal to positive terminal holes are repelled from the interface and the bands are away bent down. The potential barrier for the holes is increase as is the width of the depletion region. The resulting net current is very low reverse biased . If instead the metal is connected to the negative terminal then forward biasing results as the holes are attracted toward the metal interface forward biased . Fig. 5. Typical I-V characteristic of the PIM device In it s clearly seen the different behaviour of reverse and forward current. When a negative voltage forward voltage is applied on the metal electrode a hole current starts flowing from the p-type diamond via the nominally intrinsic diamond region towards the Schottky contact. The rectification behaviour of the both photodiodes is observed with a very high rectification ratio of about 108 at 3V. For values of VB Von

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.