TAILIEUCHUNG - Photodiodes World Activities in 2011 Part 4

Tham khảo tài liệu 'photodiodes world activities in 2011 part 4', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | CMOS Photodetectors 81 cathode p select active n select Fig. 11. CMOS-based photodiode n p-substrate. cathode metal-2 shield Fig. 12. Photodiode with metal-2 layer as a shield to block photons from reaching the substrate. In order to create a dense array of photodiodes as needed for a high-resolution imaging device the ratio of the area designated for the collection of light to the area used for control circuitry should be as high as possible. This is known as the fill-factor. Ideally this would be unity but this is not possible for an imaging device with individual pixel read-out. Thus actual fill-factors are less than one. A layout of the APS pixel as shown in Figure 5 is shown in Figure 13 . The fill factor of this 3 transistor pixel is 41 using scalable CMOS design rules. The metal shielding of the circuitry outside of the photodetector is not shown for clarity in practice this shielding would cover all non-photoactive areas and can also be used as the circuit ground plane. 82 Photodiodes - World Activities in 2011 In order to create an array of imaging pixels the layout not only requires maximizing the active photodetector area but also requires that the power VDD control and readout wires be routed so that when a pixel is put into an array these wires are aligned. An example of this is shown in Figure 14. Read Fig. 13. Layout of the T3-APS pixel as shown in Figure 5. A slightly more complex structure is the buried double junction or BDJ photodiode 66 . The BDJ is formed from two vertically stacked standard p-n junctions shown in Figure 15. The shallow junction is formed by the p-base and N-well and the deep junction is formed by the N-well and P-substrate. As discussed previously the depth of each junction is determined by the thickness of the p-base and n-well. Incident light will be absorbed at different depths so the two junctions will produce currents based on the wavelength of the incident light. The current flow through two junctions is proportional to

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.