TAILIEUCHUNG - Microengineering MEMs and Interfacing - Danny Banks Part 3

Tham khảo tài liệu 'microengineering mems and interfacing - danny banks part 3', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | Photolithography 19 Original mask pattern Developed lim I mill 11 IIIIIIIIIIIIIIIII a photoresist pattern Substrate b FIGURE a Positive resists tend to develop with slightly wider than desired openings b negative resists tend to develop with slightly smaller openings than mask features. Optical Oddities Optical systems cannot be made completely free of aberrations or distortions and further problems may be introduced by the nature of mask or substrate. A few of these are discussed in the following paragraphs and some are covered in greater detail in Part III. The Difference between Negative and Positive Resists Light will be scattered when it enters the resist layer. As illustrated in Figure when the resist is overexposed this leads to gaps in the developed resist that are larger than the mask features for positive resists and smaller than the mask features for negative resists. Because many etching procedures undercut the resist particularly many wet etches this has resulted in a preference to the use of negative resists in order to more closely reproduce the features in the mask. Optical Aberrations and Distortions The results of any photolithographic process would be limited by the quality of the optical system. Typically these will be more severe further from the optical axis. Astigmatism arising from asymmetry in the optics for instance will typically result in slightly poorer resolution in one horizontal direction than in others. It may also have knock-on consequences in terms of optical proximity effects etc. mentioned later. Chromatic aberrations are particularly problematic with lens-based systems as opposed to reflective focusing systems. Although lens-based optical systems normally achieve higher numerical apertures than reflective systems the refractive index of the material employed is dependent on the wavelength of the light being transmitted. Some photoresists are sensitive to a specific wavelength of light whereas

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.