TAILIEUCHUNG - Smart Material Systems and MEMS - Vijay K. Varadan Part 10

Tham khảo tài liệu 'smart material systems and mems - vijay k. varadan part 10', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | 268 Smart Material Systems and MEMS Polysilicon film deposition Polysilicon comprises small crystallites of single-crystal silicon separated by grain boundaries. Polysilicon is often used as a structural material in MEMS. It is also used in MEMS and microelectronics for electrode formation and as a conductor or high-value resistor depending on its doping level must be highly doped to increase conductivity . Polysilicon is commonly used for MOSFET gate electrodes since it can form an ohmic contact with Si its resistivity can be made up to 500-525 pfi cm by doping and it is easy to pattern. A low-pressure reactor such as the one shown in Figure a operated at a temperature of between 600 and 650 C is used to deposit polysilicon by pyrolyzing silane according to the following reaction 600 C SiH4 -600- Si 2H2 Most common low-pressure processes used for polysilicon deposition operate at pressures between and torr using 100 silane. Deposition of ceramic thin films Ceramics are another major class of materials widely used for silicon-based MEMS. These materials generally have better hardness and high-temperature strength. Both crystalline as well as non-crystalline materials are used in the context of MEMS. Examples of ceramic-based MEMS include ceramic pressure microsensors for high-temperature pressure measurement 33 and silicon carbide MEMS for harsh environments 34 . In addition to these structural ceramics functional ceramics such as ZnO BST and PZT have also been incorporated into MEMS. Ceramic thin films have been fabricated by conventional methods such as RF sputtering 35 laser ablation 36 MOCVD 37 and hydrothermal processes 37 . Even though sputtering is widely used for the deposition of thin films it has the potential for film degradation by neutral and negative-ion bombardment during its growth. This re-sputtering can lead to off-stoichiometric films and degradation of electrical properties. Figure illustrates the inverted .

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.